申请/专利权人：长沙思木锐信息技术有限公司

申请日：2023-02-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116047658B

主分类号：G02B6/12

分类号：G02B6/12;G02B6/35;G02B6/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.05.19#实质审查的生效;2023.05.02#公开

摘要：本发明公开了一种集成散射结构的成像系统，包含：成像芯片和控制计算设备；成像芯片包含：基板；硅基片，硅基片设置于基板上；若干硅波导，若干硅波导设置于基板上且一端分别连接至硅基片的外周；散射片，散射片的形状与硅基片相匹配且设置于硅基片上，散射片的中心与硅基片的中心重合，散射片小于硅基片，散射片的外周聚与硅基片外周之间形成预设距离；散射片包含硅部和二氧化硅部，硅部和二氧化硅部直接连接至硅基片。本发明提供的集成散射结构的成像系统，集成度高，不需要片外的辅助系统，成本低，且集成散射结构调制速率快，成像速度快。

主权项：1.一种集成散射结构的成像系统，其特征在于，包含：成像芯片；控制计算设备，连接至所述成像芯片；所述成像芯片包含：基板；硅基片，所述硅基片设置于所述基板上；若干硅波导，若干所述硅波导设置于所述基板上且一端分别连接至所述硅基片的外周；散射片，所述散射片的形状与所述硅基片相匹配且设置于所述硅基片上，所述散射片的中心与所述硅基片的中心重合，所述散射片的宽度小于所述硅基片的宽度，所述散射片的外周与所述硅基片外周之间形成预设距离；所述散射片包含硅部和二氧化硅部，所述硅部和所述二氧化硅部直接连接至所述硅基片；所述成像芯片还包含若干光电探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长沙思木锐信息技术有限公司 集成散射结构的成像系统

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