申请/专利权人：上海朔集半导体科技有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117596878B

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本发明公开一种U型的浮栅型分栅嵌入式非挥发存储器及其制造方法。该器件在U型浮栅近漏侧利用热载流子注入对U型浮栅进行编程操作，在U型浮栅近源侧利用U型浮栅与n型阱之间大电场产生的FN隧穿进行擦除操作。该结构消除了单独的擦除栅，极大地简化了浮栅型分栅闪存单元结构，有效提高了闪存技术集成度，满足大容量闪存的需求。

主权项：1.一种U型的浮栅型分栅嵌入式非挥发存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅衬底中形成p型阱；对所述p型阱进行光刻刻蚀，形成U型槽，并进行沟道阈值调整；在所述U型槽的一侧的所述p型阱的上部形成n型阱；形成栅氧介质层，使其覆盖所述U型槽的底部和侧壁，并延伸覆盖所述U型槽两侧的所述n型阱和所述p型阱的上表面；形成U型浮栅多晶硅层，使其覆盖所述栅氧介质层，并无缝隙的填充所述U型槽；在所述U型浮栅多晶硅层上形成层间栅介质层，在所述层间栅介质层上形成耦合栅多晶硅层；形成硬掩膜，进行光刻处理，依次刻蚀所述U型槽另一侧的部分所述硬掩膜、所述耦合栅多晶硅层和所述层间栅介质层，刻蚀停止在所述U型浮栅多晶硅层；然后形成第一侧墙；自对准刻蚀所述U型浮栅多晶硅层；再形成第二侧墙；接着对所述p型阱离子注入进行阈值调整，并干法刻蚀去除暴露在外的所述栅氧介质层；形成字线栅介质层，并在其上淀积形成字线栅多晶硅层，而后将所述字线栅多晶硅层化学机械抛光至所述耦合栅高度处；进行边缘光刻处理，依次刻蚀所述耦合栅多晶硅层、所述层间栅介质层、所述U型浮栅多晶硅层和所述栅氧介质层，形成耦合栅、U型浮栅；依次刻蚀所述字线栅多晶硅层、所述字线栅介质层形成字线栅，作为存储单元的字线；在所述U型浮栅、所述耦合栅和所述字线栅外侧形成侧墙；分别在所述U型浮栅和所述字线栅两侧的所述硅衬底中形成源电极和漏电极，分别作为存储单元的源极线和位线；其中，在所述U型浮栅近漏侧利用热载流子注入对所述U型浮栅进行编程操作，在所述U型浮栅近源侧利用所述U型浮栅与所述n型阱之间大电场产生的FN隧穿进行擦除操作。

全文数据：

权利要求：

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