申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-04-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112385039B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20180823 US 16/110,421"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明揭示一种集成电路系统构造，其包括第一区域及所述第一区域旁边的第二区域。横向交替的第一导线及第二导线从所述第一区域延伸到所述第二区域中。所述第二导线在所述第一区域的一侧上比所述第一导线更深地横向延伸到所述第二区域中且包括所述第二导线的直接横向相邻对。绝缘材料在所述第二区域中横向位于所述对中的个别者中的所述直接横向相邻的第二导线之间。绝缘体材料的竖向延伸壁位于所述第二区域中的所述绝缘材料内。所述壁横向延伸于所述相应个别对内的所述直接横向相邻的第二导线之间且完全横跨横向位于所述相应个别对内的所述直接横向相邻的第二导线之间的所述第一导线而延伸。

主权项：1.一种集成电路系统构造，其包括：第一区域；第二区域，其位于所述第一区域旁边；横向交替的第一导线及第二导线，其从所述第一区域延伸到所述第二区域中，所述第二导线在所述第一区域的一侧上比所述第一导线更深地横向延伸到所述第二区域中且包括所述第二导线的直接横向相邻对；绝缘材料，其在所述第二区域中横向位于所述对中的个别者中的所述直接横向相邻的第二导线之间；绝缘体材料的竖向延伸壁，其位于所述第二区域中的所述绝缘材料内，所述壁横向延伸于相应个别的所述对内的所述直接横向相邻的第二导线之间且完全横跨横向位于相应个别的所述对内的所述直接横向相邻的第二导线之间的所述第一导线而延伸，所述绝缘体材料具有不同于所述绝缘材料的组成的组成；及第三导线，其在所述第二区域中位于所述第二导线上方，所述第三导线通过所述第二区域中的竖向延伸导电通孔来与所述第二导线中的个别者个别直接电耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 集成电路系统构造

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