申请/专利权人：福建北电新材料科技有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115434007B

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开

摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚体，坩埚体具有：沿轴向方向相互连接的第一腔体和第二腔体；坩埚盖，坩埚盖盖设于第二腔体上远离第一腔体的一端，且用于设置籽晶；沿坩埚体到坩埚盖的方向，第二腔体的内径具有增大趋势。这样的坩埚结构和晶体生长设备能够有效减小籽晶生长面的凸度，从而保障SiC晶体品质。

主权项：1.一种坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚体100，所述坩埚体100具有：沿轴向方向相互连接的第一腔体110和第二腔体120；坩埚盖300，所述坩埚盖300盖设于所述第二腔体120上远离所述第一腔体110的一端，且用于设置籽晶21；沿所述坩埚体100到所述坩埚盖300的方向，所述第二腔体120的内径具有增大趋势；所述第二腔体120包括至少两个依次连接的围合结构200，相邻的两个所述围合结构200之间，远离所述坩埚盖300的围合结构200的内径小于靠近所述坩埚盖300的围合结构200的内径。

全文数据：

权利要求：

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