申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2019-12-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112951696B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要：本申请实施例公开了一种等离子体处理设备的气体挡板结构，第一基板和设置在第一基板第一表面的多个间隔件，第一基板和多个间隔件形成多个气体腔，多个气体腔包括中心腔和环绕中心腔的至少一个环形腔，至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔，各第一气体腔分别对应一个第一入气通路，各第一入气通路独立控制，从而使得各第一气体腔对应的第一入气通路中通入的第一气体流量独立控制，进而在刻蚀过程中，可以基于待处理晶圆表面的刻蚀需求和刻蚀情况，单独控制环形腔中的各第一气体腔中通入的气体流量，以调节距离待处理晶圆中心同一距离不同位置处的刻蚀速率，改善待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀不均匀现象。

主权项：1.一种等离子体处理设备的气体挡板结构，其特征在于，所述气体挡板结构为铝合金材料，所述气体挡板结构包括：第一基板和设置在所述第一基板第一表面的多个间隔件，所述第一基板和所述多个间隔件形成多个气体腔，所述多个气体腔包括中心腔和环绕所述中心腔的至少一个环形腔，所述至少一个环形腔中至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔，所述间隔件背离所述第一基板一侧上还设置有密封圈；其中，所述第一基板中具有贯穿所述第一基板的至少两个第一入气通路，所述第一入气通路与所述第一气体腔一一对应，且与其对应的第一气体腔相连通，所述第一入气通路用于通入第一气体，且各所述第一入气通路独立控制，单独控制各所述第一气体腔通入的气体流量，以调节距离待处理晶圆中心同一距离多个不同位置处的刻蚀速率；所述第一气体为工艺气体，所述第一气体用于对所述晶圆进行刻蚀；所述第一基板中还具有贯穿所述第一基板的至少两个第二入气通路，所述第二入气通路与所述第一气体腔一一对应，且与其对应的第一气体腔相连通；其中，所述第二入气通路用于通入第二气体，所述第一气体和所述第二气体的成分不同，所述第二气体为调节气体，所述第二气体用于调节所述第一气体的刻蚀速率；所述第一入气通路具有至少两个第一入气孔，并通过所述第一入气孔与其对应的第一气体腔相连通；所述第二入气通路具有至少两个第二入气孔，并通过所述第二入气孔与其对应的第一气体腔相连通；所述第一入气孔与所述第二入气孔沿所述环形腔的环形方向间隔排布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及其气体挡板结构、等离子体处理方法

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