申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-02-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112820649B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H10B41/30;H01L29/788

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.06.04#实质审查的生效;2021.05.18#公开

摘要：本发明提供的一种分栅快闪存储器及其制备方法，分栅快闪存储器的制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底的存储区依次形成有浮栅、控制栅、嵌设在浮栅和控制栅中的共享字线、包裹共享字线的保护层、位于控制栅上的氮化硅层，氮化硅层覆盖保护层；通过第一次干法刻蚀工艺去除部分厚度的氮化硅层，并通过湿法刻蚀工艺去除剩余部分的氮化硅层；以保护层为掩模，依次刻蚀控制栅和浮栅并暴露出半导体衬底。本发明通过第一次干法刻蚀工艺去除部分厚度的氮化硅层，并通过湿法刻蚀工艺去除剩余部分的氮化硅层使得湿法刻蚀工艺的溶液较少时间的接触所述保护层，降低了共享字线外侧的保护层的损失，使得后续形成的浮栅沿横向的长度变长。

主权项：1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有浮栅、控制栅、嵌设在所述浮栅和控制栅中的共享字线、包裹所述共享字线的保护层、位于所述控制栅上的氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述保护层，且所述氮化硅层的厚度大于通过第一次干法刻蚀工艺去除部分厚度的所述氮化硅层，并通过湿法刻蚀工艺去除剩余部分的所述氮化硅层；形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖了所述半导体衬底的逻辑区的多晶硅层，还覆盖了所述半导体衬底的存储区的所述保护层的表面以及所述控制栅的表面；在所述硬掩模层形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，并以所述图形化的光刻胶层和硬掩模层为掩模，对逻辑区的所述多晶硅层执行刻蚀工艺；通过湿法刻蚀工艺去除残留的光刻胶层；通过第二次干法刻蚀工艺去除所述硬掩模层，保留所述共享字线外侧的硬掩模层；以及以所述保护层的侧壁上的硬掩模层以及所述保护层为掩模，依次刻蚀所述控制栅和浮栅并暴露出所述半导体衬底。

全文数据：

权利要求：

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