申请/专利权人：TDK株式会社

申请日：2018-01-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113659071B

主分类号：H10N52/85

分类号：H10N52/85;H10N50/85;H10N50/20;H10N50/10

优先权：["20170227 JP 2017-034757"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明的磁阻效应元件，具备：自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板，在基板的第二铁磁性金属层侧的面形成基底层，基底层是选自：包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层；以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层；包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层；以及，包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层；中的至少一种。

主权项：1.一种磁阻效应元件，其特征在于，具备：自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于所述自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与所述第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板，在所述基板的所述第二铁磁性金属层侧的面形成基底层，所述基底层是选自：包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层；以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层，在此，X包含从Sr、Ce、Dy、La、K、Ca、Na、Pb、Ba中选择的至少一种元素，Y包含从Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Nb、Mo、Ru、Ir、Ta、Ce、Pb中选择的至少一种元素；包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层；以及，包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层；中的至少一种，所述自旋流磁化旋转元件具备：第一铁磁性金属层，其磁化方向可变；及自旋轨道转矩配线，其向与第一方向交叉的第二方向延伸，且所述第一铁磁性金属层位于其一面上，其中，所述第一方向是所述第一铁磁性金属层的法线方向，所述自旋轨道转矩配线为将自旋传导层和界面自旋产生层沿所述第一方向层叠的构造，在所述自旋轨道转矩配线中，所述自旋传导层中的一个最接近于所述第一铁磁性金属层，所述自旋传导层的厚度为所述自旋传导层具有的自旋扩散长度以下的厚度，所述界面自旋产生层的厚度为构成所述界面自旋产生层的原子的原子半径的2倍以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社 自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件及磁存储器

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