申请/专利权人:三星显示有限公司
申请日:2023-08-18
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN220753362U
主分类号:H01J37/32
分类号:H01J37/32;H10K59/12;H10K71/00;H01L21/67
优先权:["20220818 KR 10-2022-0103427"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.09#授权
摘要:公开了一种等离子体后处理设备,等离子体后处理设备包括:腔室;台,设置在腔室内部,其中,台上将设置工作基底;扩散器,扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大,并且扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方;传送管道,分别连接到扩散器;以及等离子体产生器,分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道,并且孔中的每个的直径在远离工作基底的方向上逐渐增大。因此,可以提供具有改善的散布的等离子体后处理设备。
主权项:1.一种等离子体后处理设备,其特征在于,所述等离子体后处理设备包括:腔室;台,设置在所述腔室内部,其中,所述台上将设置工作基底;多个扩散器,所述多个扩散器中的每个的宽度在远离所述工作基底的方向上增大,所述多个扩散器中的每个具有多个孔并且设置在所述台上方;多个传送管道,分别连接到所述多个扩散器;以及多个等离子体产生器,分别连接到供应工艺气体的多个管道并且分别连接到所述多个传送管道,其中,所述多个孔中的每个的直径在远离所述工作基底的所述方向上逐渐增大。
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