申请/专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117822114A

主分类号：C30B29/06

分类号：C30B29/06;C30B15/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供一种提升单晶硅尾部质量的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒尾部拉制结束后，将晶棒提断，以预定拉速将晶棒拉升至单晶炉隔离阀以上，同时迅速降温，以达到预定的冷却温度梯度；使得晶体尾部在完成后能迅速降温，避免过饱和的氧析出形成氧沉淀，进而避免滑移线、位错、层错的产生，然后再将晶棒冷却预定时间取出，使得晶棒的应力不会过大，避免晶棒破裂，进而晶棒等径后段靠近晶棒尾部处质量提高，电池片的转换效率高，进而晶棒的利用率提高。

主权项：1.一种提升单晶硅尾部质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在晶棒尾部拉制结束后，将晶棒提断，以预定拉速将晶棒拉升至单晶炉隔离阀以上，同时迅速降温，以达到预定的冷却温度梯度；S2：将晶棒冷却预定时间取出。

全文数据：

权利要求：

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