申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832279A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的屏蔽型埋沟U槽SICMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，在MOS元胞的JFET区底部和顶部分别增加屏蔽结构和源极接触并在器件源极区域增加埋沟U槽，加入埋沟U槽结构，可减少器件的源极尺寸，减少整个元胞尺寸，在JFET区底部实现大幅缩短JFET区的宽度，利于在JFET区底部通过耗尽效应减小器件短路时的电流路径宽度，大幅降低器件的短路饱和电流，提升SiCMOSFET的短路能力，反偏肖特基结与屏蔽结构共同作用，减弱甚至消除在发生漏源电压过冲时在JFET区下形成的极强电场，进一步提升器件的雪崩能力，源极接触可降低体二极管压降，使原有的体二极管变为肖特基二极管的浪涌注入结构，增加体二极管的抗浪涌能力；降低栅漏两极的正对面积，可降低器件的开关损耗。

主权项：1.一种增加JFET区源极接触的屏蔽型埋沟U槽SICMOSFET结构，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上通过离子注入等距分布呈井状并为P型半导体的P阱，相邻所述P阱之间形成有JFET区，所述P阱中部通过极高浓度的相同离子注入形成为P型半导体的P+，所述P+的两侧通过极高浓度的离子注入形成为N型半导体的N阱，所述N阱与所述P+接触，所述N阱不靠近所述P阱侧面，所述JFET区上方形成有所述栅氧层，所述栅氧层上淀积有所述多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上淀积有介质层，所述栅氧层和所述多晶硅栅极至少延伸位于所述N阱上方，所述碳化硅外延层上淀积有覆盖所述介质层的源极，所述碳化硅外延层下侧具有N衬底，所述N衬底下方具有漏极，为了便于理解，将由多晶硅栅极纵向对应的单位范围内相同的结构定义为所述MOS元胞，包括多个并联的MOS元胞，其特征在于，所述N阱上刻蚀开凿有埋沟，所述埋沟下方刻蚀连通有U槽，所述U槽贯穿所述N阱并深入至所述P阱内，所述U槽内淀积有金属的源极，所述源极与所述N阱和P阱的欧姆接触同时短接，相邻所述多晶硅栅极的介质层合并沉积入所述埋沟内深埋所述源极，使得源极与所述N阱和P阱的欧姆接触同时短接由横向转变为纵向，同时省略多晶硅栅极侧面的介质层，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述MOS元胞的栅氧层接触，所述多晶硅栅极位于所述JFET区上的位置被打断以形成两段的所述多晶硅栅极，所述源极通过两段的所述多晶硅栅极与所述JFET区直接接触以形成肖特基结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种增加JFET区源极接触的屏蔽型埋沟U槽SIC MOSFET结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD