申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832318A

主分类号：H01L31/118

分类号：H01L31/118;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器，在探测器工作电压不变的情况下，通过在器件灵敏区内设置一层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的半超级结，若干层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的浮动结，使灵敏区体内电场均匀化，提升探测器内部场强，提升探测器的探测效率。内置梯形半超级结可以有效的提升探测器灵敏区深度，使得探测器的探测效率变高；内置梯形浮动结以及梯形半超级结可以降低探测器器件表面电场峰值，从而降低器件表面漏电，减小探测器的本征噪声；将半超级结及浮动结样貌设置为梯形可以加快浮动结、半超级结的耗尽速率，减小梯形浮动结中性区对辐生载流子收集的负面影响，实现低压下辐生载流子的全收集，从而提升探测器的探测效率。

主权项：1.一种内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，包括：自下而上依次设置衬底6、N-漂移区5和P+区域2，在所述衬底6反面设置有阴极7，在所述P+区域2上面设置有阳极1；在所述N-漂移区5内设置有P-梯形半超级结3和多层P-梯形浮动结4，多层所述P-梯形浮动结4在所述N-漂移区5内均匀设置，所述P-梯形半超级结3设置在最上层的所述P-梯形浮动结4之上，且上底边与所述P+区域2下底边相触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学 内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器

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