申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-08-28

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN110600422B

主分类号：H01L21/764

分类号：H01L21/764;H10B43/35;H10B43/20;H10B41/20;H10B41/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.01.14#实质审查的生效;2019.12.20#公开

摘要：本发明提供一种3DNAND闪存及制备方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括交替叠置的第一牺牲层及第二牺牲层；于叠层结构内形成沟道通孔及虚拟沟道通孔；于沟道通孔的侧壁表面形成功能侧壁，于功能侧壁的表面及沟道通孔的底部形成沟道层，并于虚拟沟道通孔内形成填充牺牲层；于叠层结构内形成栅极间隙；基于栅极间隙去除第一牺牲层以形成牺牲间隙；于牺牲间隙内形成栅极层；及去除填充牺牲层，以释放虚拟沟道通孔；并基于虚拟沟道通孔去除第二牺牲层以形成镂空间隙。本发明3DNAND闪存中栅极层之间设置为镂空间隙，相邻栅极层之间均为空气间隙，可以有效降低电容耦合效应，且可以减小甚至避免漏电流。

主权项：1.一种3DNAND闪存的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的第一牺牲层及第二牺牲层；于所述叠层结构内形成沟道通孔及虚拟沟道通孔；于所述沟道通孔的侧壁表面形成功能侧壁，于所述功能侧壁的表面及所述沟道通孔的底部形成沟道层，并于所述虚拟沟道通孔内形成填充牺牲层；于所述叠层结构内形成栅极间隙；基于所述栅极间隙去除所述第一牺牲层以形成牺牲间隙；于所述牺牲间隙内形成栅极层；于所述栅极间隙的侧壁再次形成绝缘隔离层；于所述栅极间隙内形成共源线；及去除所述填充牺牲层，以释放所述虚拟沟道通孔；并基于所述虚拟沟道通孔去除所述第二牺牲层以形成镂空间隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 3D NAND闪存及制备方法

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