申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2021-05-24

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113387323B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。

主权项：1.一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、对第一硅基板表面进行光刻以及各向异性蚀刻，以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜，并在镉薄膜外镀一层银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并对镓膜进行加热以使镓膜成为液态，从而形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上，以实现镓膜衬底在水平方向上的滑动；S5、将探针阵列硅基底相对设置于镓膜衬底上方，并将探针阵列硅基底滑动连接于设置于水平滑轨侧边的垂直滑轨，以实现探针阵列硅基底于镓膜衬底上方的垂直运动；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，控制镓膜衬底于水平滑轨上的滑动方向、滑动速度，控制探针阵列硅基底于垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针；步骤S7中具体包括以下步骤：S7.1、控制镓膜衬底于水平滑轨上的滑动，以实现镓膜衬底与探针阵列硅基底的对位；S7.2、控制电场强度，并控制探针阵列硅基底于垂直滑轨上以恒定速度向下滑动，随着电场强度增大，镓膜上形成与针尖结构相应的尖峰，且尖峰与针尖结构发生接触，此时停止滑动；S7.3、银微粒与镓微粒发生化学反应并生成Ag2Ga；S7.4、控制探针阵列硅基底于垂直滑轨上以预设速度向上滑动，并同时控制镓膜衬底于水平滑轨上以预设滑动方向、滑动速度进行滑动；S7.5、当尖峰上形成相应形状Ag2Ga纳米针时，加快探针阵列硅基底于垂直滑轨上向上滑动的速度，以使Ag2Ga纳米针脱离镓膜。

全文数据：

权利要求：

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