申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877983A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请公开了一种半导体沟槽结构的制造方法，包括如下步骤：提供衬底，于衬底的上表面形成外延层；刻蚀外延层，以形成沟槽，沟槽结构沿外延层厚度方向贯穿外延层；于沟槽侧壁形成牺牲层；经由第一次热氧化形成外延层上表面及沟槽底部的热氧化层；刻蚀沟槽侧壁的牺牲层；经由第二次热氧化，形成具有第一厚度的沟槽侧壁热氧化层，以及具有第二厚度的沟槽底部热氧化层，其中，第二厚度大于第一厚度。上述半导体结构的制备方法增大了沟槽底部的栅氧化层厚度，改善了沟槽底部的氧化层耐压不足的问题。

主权项：1.一种半导体沟槽结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，于衬底的上表面形成外延层；刻蚀所述外延层，以形成沟槽，所述沟槽结构沿所述外延层厚度方向贯穿所述外延层；于所述沟槽侧壁形成牺牲层；经由第一次热氧化形成所述外延层上表面及所述沟槽底部的热氧化层；刻蚀所述沟槽侧壁的牺牲层；经由第二次热氧化，形成具有第一厚度的沟槽侧壁热氧化层，以及具有第二厚度的沟槽底部热氧化层，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州芯迈半导体技术有限公司 一种半导体沟槽结构的制造方法

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