申请/专利权人:深圳新声半导体有限公司
申请日:2024-03-11
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117879535A
主分类号:H03H9/54
分类号:H03H9/54;H03H9/15;H03H9/13;H03H9/08;H03H9/02;H03H3/04
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本申请实施例的目的是提供一种BAW滤波器及其制造方法。本申请实施例的BAW滤波器包括衬底、围栏层、压电层、上电极层、下电极层和目标结构;其中,所述围栏层被设置于所述衬底之上;其中,所述压电层被设置于所述围栏层的上方;其中,所述上电极层被设置于所述压电层的上方,所述下电极层被设置于所述压电层的下方;其中,所述目标结构包括以下至少任一种结构:温度补偿结构;空气环结构;空气桥结构。本申请实施例具有以下优点:通过在BAW滤波器中设置温度补偿结构、空气环结构和空气桥结构中的至少任一种,降低了温度变化对器件性能的影响,减少了电极表面横波能量损耗,提高了BAW滤波器的品质因数Q值。
主权项:1.一种BAW滤波器,其特征在于,所述BAW滤波器包括衬底、围栏层、压电层、上电极层、下电极层和目标结构;其中,所述围栏层被设置于所述衬底之上;其中,所述压电层被设置于所述围栏层的上方;其中,所述上电极层被设置于所述压电层的上方,所述下电极层被设置于所述压电层的下方;其中,所述目标结构包括以下至少任一种结构:温度补偿结构;空气环结构;空气桥结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳新声半导体有限公司 BAW滤波器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。