申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878094A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L23/48;H01L27/088;H01L21/768

优先权：["20221011 KR 10-2022-0129841","20230321 KR 10-2023-0036346"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种半导体器件可以包括：限定沟槽的各部分的第一膜和第二膜、插塞导电膜、通路、以及位于所述沟槽中的布线。所述沟槽可以包括具有第一宽度的第一子沟槽以及位于所述第一子沟槽下方的具有第二宽度的第二子沟槽。所述插塞导电膜可以从所述第一膜的第一侧延伸以穿透所述沟槽的底面。所述插塞导电膜的最上面可以位于所述沟槽中。所述通路可以包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里。所述插塞导电膜的所述最上面和所述插塞导电膜的侧壁的至少一部分可以与所述布线接触。所述绝缘衬里的上面可以通过所述第二子沟槽的底面被暴露。

主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一膜，所述第一膜包括彼此相对的第一侧和第二侧；第二膜，所述第二膜包括彼此相对的第三侧和第四侧，所述第二膜的所述第三侧与所述第一膜的所述第二侧接触，所述第二膜和所述第一膜限定沟槽的各部分，所述沟槽包括第一子沟槽和位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽，所述第一子沟槽具有第一宽度并且从所述第二膜的所述第四侧朝向所述第一膜延伸，位于所述第一子沟槽下方的所述第二子沟槽具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；插塞导电膜，所述插塞导电膜从所述第一膜的所述第一侧延伸以穿透所述沟槽的底面，所述插塞导电膜的最上面位于所述沟槽内部；通路，所述通路包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里；以及布线，所述布线位于所述沟槽中，其中，所述插塞导电膜的所述最上面和所述插塞导电膜的位于所述沟槽中的侧壁的至少一部分与所述布线接触，并且所述绝缘衬里的上面通过所述第二子沟槽的底面被暴露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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