申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877551A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G11C11/16;G11C11/54;G06F15/78;G06N3/065

优先权：["20221011 US 18/045479"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开涉及用于存储器内序列处理的具有双电阻器存储器元件的分区存储器架构。一种用于存储器内序列处理的结构包括存储体阵列。每个存储体包括存储器元件，每个存储器元件包括具有连接到输入节点的输入和连接到第一和第二位线的输出的第一和第二可编程电阻器。在每个存储体中，第一和第二反馈缓冲器连接到第一和第二位线以及第一和第二输出节点。同一列中的存储体的第一和第二输出节点连接到相同的第一和第二列互连线。每行中的初始存储体包括连接在输入节点和存储器元件之间的放大器。这些放大器的输出还通过行互连线连接到同一行中下游存储体中的存储器元件。可选地，电压缓冲器连接到行互连线并集成到至少一些存储体中。

主权项：1.一种结构，包括：按行和列排列的存储体的阵列，其中，每个存储体包括：输入节点；第一位线；第二位线；多个双电阻器存储器元件，其中，每个双电阻器存储器元件包括：第一可编程电阻器，其连接在对应的输入节点和所述第一位线之间；以及第二可编程电阻器，其连接在所述对应的输入节点和所述第二位线之间；第一反馈缓冲电路，其连接到所述第一位线；以及第二反馈缓冲电路，其连接到所述第二位线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 用于存储器内序列处理的具有双电阻器存储器元件的分区存储器架构

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