申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866635A

主分类号：C09K13/06

分类号：C09K13/06;H01L21/306;C09K13/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种深沟槽多晶硅蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、无机酸、pH调节剂、表面活性剂。本发明所述深沟槽多晶硅蚀刻液能够在高效蚀刻多晶硅的同时保证蚀刻表面均匀性及光滑性，最大程度地确保沟槽上下蚀刻一致性及表面光滑性。在蚀刻过程中，无机酸确保蚀刻液体系为酸性环境，保证多晶硅的蚀刻；pH调节剂避免蚀刻液pH的大幅波动，从而确保多晶硅蚀刻过程中的稳定性；表面活性剂降低蚀刻液表面张力，提高蚀刻液浸润性，保证沟槽上下蚀刻速率一致，确保沟槽孔径一致性。

主权项：1.一种深沟槽多晶硅蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包含按质量分数计的如下原料：5~20%的无机酸；1~10%的氧化剂；0.1~5%的pH调节剂；0.01~2%的表面活性剂；余量为去离子水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种深沟槽多晶硅蚀刻液

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD