申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878104A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01L27/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种沟槽型MIM电容器及其制备方法，其中制备方法包括：提供一半导体结构；在半导体结构上形成第一介质层；在第一介质层中形成第一导电插塞；形成第二介质层；形成沟槽；在沟槽中形成下极板金属层、中间绝缘层和上极板金属层以得到沟槽型MIM电容器。本申请通过在第一导电插塞接触孔上形成沟槽型MIM电容器，与传统Al下极板MIM制造工艺相比，本申请节省一张光罩，简化了制备工艺；与传统Cu下极板MIM制造工艺相比，本申请避免了下极板金属层产生鼓包和或空洞缺陷，并显著提升了电容量和耐压。

主权项：1.一种沟槽型MIM电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构中形成有金属互连结构；在所述半导体结构上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述金属互连结构；形成第一导电插塞，所述第一导电插塞贯穿所述第一介质层并且与所述金属互连结构相连；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层；刻蚀所述第二介质层以在所述第二介质层中形成沟槽，所述沟槽底壁露出部分所述第一导电插塞；形成下极板金属层，所述下极板金属层覆盖所述沟槽的侧壁、底壁和所述第二介质层；形成中间绝缘层，所述中间绝缘层覆盖所述下极板金属层；形成上极板金属层，所述上极板金属层覆盖所述中间绝缘层以及填充所述沟槽的剩余空间；以及研磨去除超出第二介质层表面的下极板金属层、中间绝缘层和上极板金属层，以得到填充所述沟槽的沟槽型MIM电容器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 沟槽型MIM电容器及其制备方法

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