申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855199A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种提高沟槽MIM电容耐压的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构以及覆盖半导体结构的第一层间介质层，在第一层间介质层上形成与半导体结构电接触的第一金属层，第一金属层上形成有介质阻挡层以及第二层间介质层，在介质阻挡层和第二层间介质层上形成底部与第一金属层连通的沟槽，沟槽用于定义出MIM电容的形成区域；形成覆盖沟槽的下极板金属，利用淀积、刻蚀形成位于沟槽侧壁处的侧墙，使得MIM电容的击穿电压增加；形成覆盖沟槽的电容绝缘层，在电容绝缘层上形成上极板金属；利用研磨去除MIM电容区域之外的上极板金属。本发明通过侧墙方案增加侧壁介质层厚度，改善电场集中问题，大幅度提高MIM击穿电压上限，且电容值符合预期。

主权项：1.一种提高沟槽MIM电容耐压的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有半导体结构以及覆盖所述半导体结构的第一层间介质层，在所述第一层间介质层上形成与所述半导体结构电接触的第一金属层，所述第一金属层上形成有介质阻挡层以及第二层间介质层，在所述介质阻挡层和所述第二层间介质层上形成底部与所述第一金属层连通的沟槽，所述沟槽用于定义出MIM电容的形成区域；步骤二、形成覆盖所述沟槽的下极板金属，利用淀积、刻蚀形成位于所述沟槽侧壁处的侧墙，使得所述MIM电容的击穿电压增加；步骤三、形成覆盖所述沟槽的电容绝缘层，在所述电容绝缘层上形成上极板金属；步骤四、利用研磨去除所述MIM电容区域之外的所述上极板金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 提高沟槽MIM电容耐压的方法

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