申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-11-17

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117812995A

主分类号：H10N97/00

分类号：H10N97/00;H01L23/58;H01L29/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种MIM电容及其制备方法，所述MIM电容包括电容，所述电容设在衬底的上方；所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板；电容中极板通过接地模块、背孔、背金与地相接，上下极板通过加电模块施加电压，参与电路匹配。由于上下两层电容为并联形式，MIM电容的的容值将显著增加。电容表面覆盖有复合钝化介质，有利于提升器件的击穿场强、耐湿、耐腐蚀特性。利用SiC材料的高击穿、高散热、低寄生等特性，在保持可靠性的基础上，MIM电容的容值、击穿电压、散热效果等得到大幅提升。

主权项：1.一种MIM电容，其特征在于，包括：衬底，电容，所述电容设在衬底的上方；所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板；加电模块，所述加电模块设在衬底上，位于电容的一侧；接地模块，所述接地模块设在衬底上，位于电容远离加电模块的一侧；第一互联层，所述第一互联层设在加电模块和上极板之间，用于连通加电模块和上极板；第一通孔，所述第一通孔设在第一互联层和下极板之间，用于连通第一互联层和下极板；第二互联层，所述第二互联层设在中极板和接地模块之间，用于连通中极板和接地模块；第二通孔，所述第二通孔设在中极板和第二互联层之间，用于连通中极板和第二互联层；钝化介质，所述钝化介质覆盖在电容的表面，其中加电模块表面未完全覆盖钝化介质；背孔，所述背孔开设在背金层上，且背孔位于接地模块正下方，背金层，所述背金层设在衬底下方，背金层与接地模块相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种MIM电容及其制备方法

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