申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878105A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请公开了一种MIM电容结构及形成方法，形成方法包括：在衬底上依次形成TiN电极和介电层，其中，介电层形成在衬底上，并覆盖TiN电极；在介电层上形成第一金属电极，其中，第一金属电极在介电层的表面形成一暴露区，以在垂直于衬底表面的方向至少避让TiN电极的一部分；在第一金属电极和介电层上形成隔离层；形成第一导通孔和第二导通孔，其中，第一导通孔贯穿隔离层并与第一金属电极连接，第二导通孔在正对暴露区的位置贯穿隔离层和介电层并与TiN电极连接；在隔离层上形成第二金属电极和第三金属电极，其中，第二金属电极与第一导通孔连接，第三金属电极与第二导通孔连接。本申请可以提高MIM电容结构的容值稳定性。

主权项：1.一种MIM电容结构的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成TiN电极和介电层，其中，所述介电层形成在所述衬底上，并覆盖所述TiN电极；在所述介电层上形成第一金属电极，其中，所述第一金属电极在所述介电层的表面形成一暴露区，以在垂直于所述衬底表面的方向至少避让所述TiN电极的一部分；在所述第一金属电极和所述介电层上形成隔离层；形成第一导通孔和第二导通孔，其中，所述第一导通孔贯穿所述隔离层并与所述第一金属电极连接，所述第二导通孔在正对所述暴露区的位置贯穿所述隔离层和所述介电层并与所述TiN电极连接；在所述隔离层上形成第二金属电极和第三金属电极，其中，所述第二金属电极与所述第一导通孔连接，所述第三金属电极与所述第二导通孔连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种MIM电容结构及形成方法

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