申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877974A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及一种深沟槽结构的制备方法及深沟槽结构，通过提供基底，基底上形成有依次叠层的衬底、第一氧化层、阻挡层和第二氧化层，且基底内形成有初始深沟槽，初始深沟槽的槽底位于衬底内，于初始深沟槽的槽底形成填充结构，然后于位于衬底的初始深沟槽的槽壁形成隔离层，初始深沟槽的槽底不形成隔离层，然后去除填充结构，从而形成深沟槽底部具有开口、槽壁具有隔离层以及基底顶面具有第二氧化层的深沟槽结构。本申请在底部形成开口的同时不破坏槽壁和基底顶面的膜层结构，实现了深沟槽结构的制备，降低了深沟槽结构的制备难度。

主权项：1.一种深沟槽结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括依次叠层的衬底、第一氧化层、阻挡层和第二氧化层，且所述基底内形成有初始深沟槽，所述初始深沟槽的槽底位于所述衬底；于所述初始深沟槽的槽底形成填充结构；于位于所述衬底的所述初始深沟槽的槽壁形成隔离层；去除所述填充结构，形成深沟槽结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 深沟槽结构的制备方法及深沟槽结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD