申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881195A

主分类号：H10B53/30

分类号：H10B53/30;H10N97/00;G11C11/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种光读取存储器及其制备方法、存储器件。本发明的光读取存储器，利用稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层作为铁电功能层，利用施加在器件上的电压来实现不同的极化，在铁电极化过程中，先施加一个正电压的预极化，在需要写入“1”的区域施加大于矫顽场的正向电压；需要写入“0”的位置施加反向矫顽场电压，亮黑色区域分别表示铁电极化向上没有极化，不同极化状态下的器件发光不同，照片会呈现与之相对应的明暗区域，从而得到对应的两种存储状态。通过外加电场的调控，每个单元的存储状态都是“0”、“1”可调的，实现可擦写，进而实现信息存储，其在可逆非易失的光学器件、信息存储等领域的应用具有重要意义。

主权项：1.一种光读取存储器，其特征在于，包括：衬底；稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层，位于所述衬底表面，所述稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层在衬底上的投影不完全覆盖所述衬底；顶电极，位于所述稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层远离所述衬底的一侧面；底电极，位于所述衬底且未被所述稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层覆盖的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种光读取存储器及其制备方法、存储器件

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