申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878214A

主分类号：H01L33/46

分类号：H01L33/46;H01L33/44;H01L33/22;H01L33/38;H01L27/15

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置。所述发光二极管芯片包括衬底，具有相对的上表面和下表面；外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；绝缘反射层，覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；所述衬底的上表面包括从外延结构外缘露出并且未被所述绝缘反射层所覆盖的区域P1，所述区域P1具有不平坦结构。

主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底，具有相对的上表面和下表面；外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；绝缘反射层，覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；所述衬底的上表面包括从外延结构外缘露出并且未被所述绝缘反射层所覆盖的区域P1，所述区域P1具有不平坦结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置

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