申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司

申请日：2024-03-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878212A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述衬底上生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有n型半导体层，所述n型半导体层上生长有量子阱层，所述量子阱层上生长有p型半导体层，所述p型半导体层刻蚀至n型半导体层露出n型半导体台面，所述n型半导体台面上设置有n型接触电极，所述p型半导体层上设置有p型接触电极，该n型接触电极和或p型接触电极为复合电极，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上。本发明阻挡了Al的迁移，防止LED倒装芯片在大电流、长时间下工作时形成漏电通道。

主权项：1.一种深紫外LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1、在衬底（101）表面由下往上依次制备AlN缓冲层（102）、n型半导体层（103）、量子阱层（104）、p型半导体层（105），形成外延片结构；S2、在S1结构基础上，在p型半导体层（105）上采用光刻胶定义n型半导体台面，通过干法刻蚀的方法，刻蚀至n型半导体层（103），将n型半导体台面露出来；S3、在p型半导体层（105）和n型半导体台面表面分别制备接触电极，所述接触电极采用复合电极，所述复合电极包括n型复合电极或p型复合电极中的一种或两种，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上；S4、依次进行钝化层、导电通孔和焊盘电极的制备，从而制备得到深紫外LED倒装芯片。

全文数据：

权利要求：

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