申请/专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878127A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板，其中，该方法包括在衬底基板上形成栅极层；在衬底基板和栅极层的上方依次形成绝缘层和半导体层；对第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露第一走线；在半导体层和第一走线的上方依次形成源漏金属层和图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区以及光刻胶去除区；以图案化光刻胶层为掩膜，去除光刻胶去除区的源漏金属层和半导体层；然后对光刻胶半保留区对应的源漏金属层和半导体层依次进行刻蚀后，去除图案化光刻胶层，形成源漏极层、沟道和位于第一走线上方的第二走线；形成平坦层和像素电极层。本申请提供的技术方案可以降低阵列基板的制备成本。

主权项：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极层，其中，所述栅极层包括栅极和第一走线；在所述衬底基板和所述栅极层的上方依次形成绝缘层和半导体层；对所述第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露所述第一走线；在所述半导体层和所述第一走线的上方依次形成源漏金属层和光刻胶层，对所述光刻胶层进行图案化处理，形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区以及光刻胶去除区，所述光刻胶保留区分布在所述第一走线对应的半导体层上方和源漏极区域的上方，所述光刻胶半保留区对应半导体层沟道区域，所述光刻胶去除区对应所述源漏金属层上的其他区域，其中，所述光刻胶半保留区的光刻胶的厚度小于所述光刻胶保留区的光刻胶的厚度；以所述图案化光刻胶层为掩膜，对所述光刻胶去除区对应的源漏金属层和半导体层进行刻蚀，去除所述光刻胶去除区的源漏金属层和半导体层；然后去除所述光刻胶半保留区的光刻胶，对所述光刻胶半保留区对应的源漏金属层和半导体层依次进行刻蚀后，去除所述图案化光刻胶层，形成源漏极层、沟道和位于所述第一走线上方的第二走线；在所述第二走线、源漏极层、沟道以及衬底基板的上方形成平坦层；在所述平坦层上形成像素电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板

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