申请/专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867474A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/14;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，公开了一种薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括腔体、加热装置和筒状结构。腔体包括内腔以及与内腔连通的进气通道，进气通道用于向内腔中通入工艺气体；加热装置包括朝向进气通道、用于承载晶圆的载物台，以及用于加热晶圆的加热单元；筒状结构设置在加热装置外围，筒状结构设置有连通至外界气源的气体通道，以及与气体通道连通、且朝向晶圆周边的吹气口，辅助气体经过气体通道后，自吹气口吹向晶圆周边位置，筒状结构两端相互贯通。本申请提供的薄膜沉积设备，能够避免加热装置热应力形变的发生，保障了对晶圆加热的均匀性，进而保证了晶圆上薄膜沉积厚度的均匀性。

主权项：1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：腔体，包括内腔以及与所述内腔连通的进气通道，所述进气通道用于向所述内腔中通入工艺气体；加热装置，包括朝向所述进气通道、用于承载晶圆的载物台，以及用于加热晶圆的加热单元；筒状结构，两端相互贯通，所述筒状结构一端连接所述内腔腔壁，另一端设置有供所述进气通道流出的工艺气体通过的开口，所述加热装置设置在所述筒状结构另一端的内部，所述筒状结构筒壁设置有连通至外界气源的气体通道，以及与所述气体通道连通、且朝向晶圆周边的吹气口，辅助气体经过所述气体通道后，自吹气口吹向晶圆周边位置，所述筒状结构外壁面邻近所述内腔腔壁设置；所述筒状结构还设置有抽气通道，以及与抽气通道连通的环状通道，所述环状通道环绕所述筒状结构中心设置，所述环状通道远离抽气通道的一端贯穿至所述筒状结构表面；所述辅助气体包括惰性气体和工艺气体，所述工艺气体用于补充在晶圆边缘处以参与晶圆边缘的沉积反应；所述环状通道与所述抽气通道连通的一端相对于所述环状通道开口于所述筒状结构表面的一端距离所述筒状结构中心轴线更近。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海谙邦半导体设备有限公司 一种薄膜沉积设备

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