申请/专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879532A

主分类号：H03H9/17

分类号：H03H9/17;H03H9/05;H03H3/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，压电薄膜层与金属层之间设置有界面层，所述界面层的材料和所述压电薄膜层的材料相同；且所述界面层中离子浓度不同于所述压电薄膜层中离子浓度；通过在压电材料与金属材料的界面添加与压电薄膜材料中相同离子种类的界面层，既不会引入多余的杂质，也可以在界面处形成活性元素的阻挡层，从而提高了压电异质衬底的质量。

主权项：1.一种带底电极的压电异质衬底，其特征在于，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；所述功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，所述压电薄膜层与所述金属层之间设置有界面层，所述界面层的材料和所述压电薄膜层的材料相同，且所述界面层中的离子与压电薄膜层中的离子具有预设浓度比值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海新硅聚合半导体有限公司 压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件

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