申请/专利权人：浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877966A

主分类号：H01L21/285

分类号：H01L21/285;H01L21/266;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开基于低能量轻离子注入的自对准金属硅化物形成工艺。该方法包括在硅衬底上形成器件，淀积自对准金属硅化物阻挡层，对自对准金属硅化物区域进行低能量轻离子预注入，在硅片上淀积一层金属层和保护层，进行热退火使得金属向硅衬底扩散，刻蚀去除剩余的金属，再次退火形成自对准金属硅化物等步骤。预注入的离子包括碳、氮、氟离子中的至少一种。本发明可通过控制硅衬底上不同区域离子预注入的浓度，形成厚度与电性不同的自对准金属硅化物层，降低金属硅化物与n型和p型区的接触电阻失配。本发明形成的自对准金属硅化物热稳定性高且薄膜形貌好，可用于形成良好的金属‑半导体接触。

主权项：1.基于低能量轻离子注入的自对准金属硅化物形成工艺，其特征在于包括：1提供一衬底，在所述衬底上形成器件；2在所述器件表面淀积一层自对准金属硅化物阻挡层；3旋涂光刻胶，曝光成自对准金属硅化物阻挡层图形；4刻蚀去除自对准金属硅化物区域的阻挡层；5对自对准金属硅化物区域进行一步或多步的低能量轻离子注入；其中所述低能量轻离子采用碳离子、氮离子或氟离子，注入能量为0.2KeV～2KeV；6在衬底上淀积一层金属，形成金属层，并在金属层上沉积一层保护层；7进行热退火，形成自对准金属硅化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司 基于低能量轻离子注入的自对准金属硅化物形成工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD