申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881197A

主分类号：H10K10/46

分类号：H10K10/46;H10K10/84;H10K85/20;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开提供一种电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。所述碳纳米管薄膜晶体管包括层叠的半导体层和源漏金属层；所述半导体层的材料包括碳纳米管，其包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；所述源漏金属层具有与所述源极接触区连接的源极和与所述漏极接触区连接的漏极；其中，所述源漏金属层具有与所述半导体层表面直接连接的接触层；所述碳纳米管薄膜晶体管的制备方法包括：形成所述接触层，使得所述接触层不含有贵金属且功函数不小于4.65eV。该碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，能够减小碳纳米管薄膜晶体管的制备方法的源漏电极与半导体层之间的空穴势垒。

主权项：1.一种碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管薄膜晶体管包括层叠的半导体层和源漏金属层；所述半导体层的材料包括碳纳米管，其包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；所述源漏金属层具有与所述源极接触区连接的源极和与所述漏极接触区连接的漏极；其中，所述源漏金属层具有与所述半导体层表面直接连接的接触层；所述碳纳米管薄膜晶体管的制备方法包括：形成所述接触层，使得所述接触层不含有贵金属且功函数不小于4.65eV。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法

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