申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2021-09-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113921670B

主分类号：H01L33/20

分类号：H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00;B23K26/402

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.01.28#实质审查的生效;2022.01.11#公开

摘要：本申请公开了一种发光元件及其制备方法，该发光元件包括基底和形成在基底上的键合层；外延结构设置在键合层上；键合层上方未设置外延结构的区域形成切割道；保护层覆盖外延结构和切割道，第一沟道位于切割道的内部，并自保护层的上表面向下延伸至基底的内部。本申请通过在切割道内部形成第一沟道，且第一沟道自保护层的上表面向下延伸至基底的内部，在隐形切割之前可确保切割线A处无连续的保护层和键合层，以避免发光元件因键合层或者保护层受到外力拉扯而出现的崩边异常现象，提高切割良率。

主权项：1.一种发光元件，其特征在于，包括：基底和形成在所述基底上的键合层；外延结构，设置在所述键合层上；所述键合层上方未设置外延结构的区域形成切割道；保护层，覆盖所述外延结构和切割道；第一沟道，位于所述切割道的内部，并自所述保护层的上表面向下延伸至所述基底的内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 发光元件及其制备方法

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