申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-10-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111128737B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L21/8238;H01L27/092

优先权：["20181030 US 62/753,033","20190805 US 16/532,274"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在形成双层结构的第一导电层上方形成屏蔽层，在屏蔽层上方形成覆盖层，在形成覆盖层之后实施第一退火操作，在第一退火操作之后去除覆盖层，并且在去除覆盖层之后形成栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在沟道区域上方形成界面层；在所述界面层上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方形成第一导电层；在所述第一导电层上方形成屏蔽层；在所述屏蔽层上方形成覆盖层，所述覆盖层包括氟；在形成所述覆盖层之后实施第一退火操作；在所述第一退火操作之后去除所述覆盖层；以及在去除所述覆盖层之后，在所述栅极介电层上方形成栅电极层，其中，所述屏蔽层用于保护所述第一导电层在实施所述第一退火操作期间免受氟损坏。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件

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