申请/专利权人：北京忆恒创源科技股份有限公司

申请日：2018-10-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110968520B

主分类号：G06F12/02

分类号：G06F12/02;G06F12/1009

优先权：["20180930 CN 201811154413X"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.09.28#著录事项变更;2021.07.30#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要：本申请涉及存储技术，具体地，涉及基于统一缓存架构的多流存储设备。本申请采用的技术方案是：将具有第一流标识符的缓存单元关联到第一虚拟页；根据第一虚拟页提供的物理地址与缓存单元的索引，将从缓存单元获取的数据写入NVM芯片。由于现有技术的电子设备的多个部件具有缓存，这增加了缓存的用量，增加了电子设备的成本与功耗。因此希望统一管理多个部件使用的缓存，提高缓存的利用率，并降低缓存的成本，提高电子设备的性能。

主权项：1.一种应用缓存的方法，其特征在于，包括：将具有第一流标识符的缓存单元关联到第一虚拟页；其中被填充了数据的缓存单元具有流标识符；根据第一虚拟页提供的可用编程单元的物理地址与缓存单元的索引，将从缓存单元获取的数据写入NVM芯片；第一虚拟页由NVM组提供；NVM芯片被分为多个NVM组，每个NVM组包括一个或多个并行单元；任何并行单元在同一时刻至多属于一个NVM组；第一虚拟页代表来自一个或多个并行单元的编程单元，属于同一虚拟页的多个并行单元能够被并行操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京忆恒创源科技股份有限公司 基于统一缓存架构的多流存储设备

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