申请/专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司

申请日：2024-02-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117724569B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F1/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明适用于无线通讯技术领域，尤其涉及一种偏置电压增强电路及射频功率放大器。所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端；所述过充产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容。与现有技术相比，通过本发明提出的偏置电压增强电路，在偏置电压建立瞬间，产生可控的电压过充，在偏置电压建立瞬间这一阶段，提升射频功率放大器的偏置电压，进一步提升其开启阶段线性度，有效提高射频功率放大器的性能。

主权项：1.一种偏置电压增强电路，其特征在于，所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端；所述信号输入端用于输入电压;所述电流源产生电路用于产生电流；所述过充产生电路用于产生过充电压；所述线性稳压器电路用于输出稳压信号；所述信号输出端用于输出基准电压；其中，所述过充产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容；所述第一电容的第一端分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的漏极以及所述第四PMOS管的栅极连接，所述第一电容的第二端分别与所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极连接并接地，所述第一NMOS管的栅极连接于外部逻辑控制电路；所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第一输出端，连接至所述线性稳压器电路的第一输入端；所述第三NMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第二输出端，连接至所述线性稳压器电路的第二输入端，所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端以及所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第四PMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极连接；所述第四PMOS管的源极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与第三PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极连接于外部逻辑控制电路，所述第三PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别连接于电源电压；所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第一输入端，连接至所述电流源产生电路的第一输出端；所述第二PMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第二输入端，连接至所述电流源产生电路的第二输出端。

全文数据：

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