申请/专利权人：东京应化工业株式会社

申请日：2018-12-06

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110007557B

主分类号：G03F7/004

分类号：G03F7/004;G09F9/00

优先权：["20171211 JP 2017-237261"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2019.07.12#公开

摘要：本发明的课题在于提供能容易地形成荧光效率良好的光学膜的包含量子点B的固化性组合物、由该固化性组合物的固化物形成的膜、由该膜形成的发光显示元件用光学膜、包含该光学膜的发光显示元件面板、和具备该发光显示元件面板的发光显示装置。本发明的解决手段为：使含有具有2个以上环氧基且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构的环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C的固化性组合物固化来制造膜。

主权项：1.固化性组合物，其含有环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C，所述环氧化合物A具有2个以上环氧基，并且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构，所述环氧化合物A包含下述式a1-1或式a1-6所示的化合物，所述量子点B为以核的材质壳层的材质的形式记载的核-壳型的、选自由InPZnS、InPZnSSe、CuInS2ZnS、ZnSAgInS2固溶体ZnS、及CdSeZnS组成的组的量子点B，所述产酸剂C包含下述式c1或式c1’-1所示的锍盐， 式a1-1中，Z表示单键或连接基团，所述连接基团为选自由2价烃基、-O-、-O-CO-、-S-、-SO-、-SO2-、-CBr2-、-CCBr32-、及-CCF32-组成的组中的2价基团，Ra1～Ra18各自独立地为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团， 式a1-6中，Ra20～Ra22为直链状、支链状或环状的亚烷基、亚芳基、-O-、-C＝O-、-NH-及由它们的组合形成的基团，各自可以相同也可以不同；E1～E3为选自由环氧基、氧杂环丁基、烯键式不饱和基团、烷氧基甲硅烷基、异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、硫醇基、羧基、羟基及琥珀酸酐基组成的组中的至少1种取代基或氢原子，其中，E1～E3中的至少2个为环氧基， 式c1中，Rc1及Rc2表示下述式c2所示的基团，Rc3表示下述式c3所示的基团，Ac1表示S或O，X-表示Rx1cBY4-c-所示的1价阴离子，式Rx1cBY4-c-中，Rx1表示氢原子的至少一部分被卤素原子或吸电子基团取代的苯基，Y表示卤素原子，c表示1～4的整数， 式c2中，环Zc1表示芳香族烃环，Rc4表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷基羰基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、可经取代的氨基、或硝基，m1表示0以上3以下的整数， 式c3中，Rc5表示下述式c5所示的基团，Rc6表示下述式c6所示的基团，Ac2表示S或O，n1表示0， 式c5中，环Zc2表示芳香族烃环，Rc11表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m2表示0以上的整数， 式c6中，环Zc3表示芳香族烃环，Rc12表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷基羰基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、可经取代的氨基、或硝基，m3表示0以上3以下的整数， 式c1’-1中，Rc1、Rc2、Rc3、及Ac1与式c1中相同，Rx1表示氢原子的至少一部分被卤素原子或吸电子基团取代的苯基，Y表示卤素原子，c表示1～4的整数，X’表示Ga。

全文数据：固化性组合物、膜、光学膜、发光显示元件面板及发光显示装置技术领域本发明涉及包含量子点的固化性组合物、由该固化性组合物的固化物形成的膜、由该膜形成的发光显示元件用光学膜、包含该光学膜的发光显示元件面板、和具备该发光显示元件面板的发光显示装置。背景技术以往，为了对电子加以局限而形成的极小的粒子点dot被称为量子点，已对其在各种领域中的应用进行了研究。此处，1个量子点的大小为直径数纳米至数十纳米，由约1万个原子构成。对于所述量子点而言，通过改变其尺寸改变带隙，能改变发出的荧光的颜色发光波长波长转换。因此，近年来，针对量子点，正在深入进行以波长转换材料的形式应用于显示元件的研究参见专利文献1及2。另外，也对包含量子点的光学膜在各种光学发光元件、显示元件中的应用进行了研究。例如，提出了将包含已被分散于由各种高分子材料形成的基体中的量子点的量子点片材用作光学膜参见专利文献3。例如，在液晶显示元件、有机EL显示元件等利用光源的发光来显示图像的元件中，使光源发出的光线透过包含量子点的光学膜时，能通过波长转换而将色纯度高的绿色光和红色光取出。因此，通过将包含量子点的光学膜应用于各种显示元件，能扩大色相的再现范围。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-216560号公报专利文献2：日本特开2008-112154号公报专利文献3：韩国公开专利第10-2016-0004524号公报发明内容发明所要解决的课题然而，实际上，即使单纯地在树脂材料中配合量子点，也并不一定能制造荧光效率良好的光学膜。原因虽不明确，但认为是下述原因：难以在抑制量子点凝聚并使其稳定地分散的状态下制造光学膜。量子点的比表面积大，具有可成为配位位点的表面原子，往往富于反应性。因此，量子点的微粒非常容易凝聚。本发明的目的在于提供能容易地形成荧光效率良好的光学膜的包含量子点B的固化性组合物、由该固化性组合物的固化物形成的膜、由该膜形成的发光显示元件用光学膜、包含该光学膜的发光显示元件面板、和具备该发光显示元件面板的发光显示装置。用于解决课题的手段本申请的发明人发现，通过使含有具有2个以上环氧基且包含氧杂环丙烷oxirane环以外的环式结构的环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C的固化性组合物固化来制造膜，能解决上述的课题，从而完成了本发明。本发明的第1方式是一种固化性组合物，其含有环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C，环氧化合物A具有2个以上环氧基，并且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构。本发明的第2方式是一种膜，其是由第1方式涉及的固化性组合物的固化物形成的。本发明的第3方式是一种发光显示元件用光学膜，其是由第2方式涉及的膜形成的。本发明的第4方式是一种发光显示元件面板，其包含第3方式涉及的发光显示元件用光学膜。本发明的第5方式是一种发光显示装置，其具备第4方式涉及的发光显示元件面板。发明的效果通过本发明，可提供能容易地形成荧光效率良好的光学膜的包含量子点B的固化性组合物、由该固化性组合物的固化物形成的膜、由该膜形成的发光显示元件用光学膜、包含该光学膜的发光显示元件面板、和具备该发光显示元件面板的发光显示装置。具体实施方式《固化性组合物》固化性组合物含有环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C。环氧化合物A具有2个以上环氧基，并且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构。上述的固化性组合物中，通过组合使用满足上述的条件的环氧化合物A、和量子点B，能容易地形成荧光效率良好的固化膜。另外，通过使用产酸剂C使环氧化合物A固化，能在不引起荧光效率降低的情况下形成固化膜。以下，对固化性化合物包含的必需成分或任选成分进行说明。固化性组合物包含环氧化合物A作为固化性成分。环氧化合物A具有2个以上环氧基，并且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构。通过使用这样的结构的环氧化合物，能以良好地分散的状态含有量子点B，从而能形成荧光效率良好的固化物。固化性组合物中，除了环氧化合物A以外，还可包含例如不属于包含氧杂环丙烷环以外的环式结构的环氧化合物的环氧化合物、具有氧杂环丁基的化合物等其他固化性成分。从特别容易形成荧光效率良好的固化物方面考虑，固化性组合物优选仅包含环氧化合物A作为固化性成分。环氧化合物中包含的环式结构没有特别限制。环式结构可以是烃环结构、杂环结构这样的含有碳作为环构成元素的环式结构，也可以是环状硅氧烷结构这样的不含有碳作为环构成元素的环式结构。作为杂环结构中可包含的杂原子，可举出氮原子、氧原子、硫原子、硒原子、硅原子等。环式结构可以是单环式结构，也可以是多环式结构。关于含有碳作为环构成元素的环式结构，可以是芳香族环结构，也可以是脂肪族环结构，也可以是芳香族环与脂肪族环稠合而成的多环结构。作为提供芳香族环结构或包含芳香族环的环结构的环，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、四氢化萘环、苊acenaphthene环、及芴环等。作为提供脂肪族环结构的环，可举出单环烷烃环、双环烷烃环、三环烷烃环、四环烷烃环等。具体而言，可举出环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、环辛烷等单环烷烃环、金刚烷环、降冰片烷环、异冰片烷环、三环癸烷环、四环十二烷环。作为可用作环氧化合物A的通用的环氧化合物的例子，可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、萘型环氧树脂、及联苯型环氧树脂等2官能环氧树脂；9，9-双[4-缩水甘油基氧基苯基]-9H-芴、9，9-双[4-[2-缩水甘油基氧基乙氧基]苯基]-9H-芴、9，9-双[4-[2-缩水甘油基氧基乙基]苯基]-9H-芴、9，9-双[4-缩水甘油基氧基-3-甲基苯基]-9H-芴、9，9-双[4-缩水甘油基氧基-3，5-二甲基苯基]-9H-芴、及9，9-双6-缩水甘油基氧基萘-2-基-9H-芴等含有环氧基的芴化合物；四缩水甘油基氨基二苯基甲烷、三缩水甘油基对氨基苯酚、四缩水甘油基间苯二甲胺、及四缩水甘油基双氨基甲基环己烷等缩水甘油胺型环氧树脂；间苯三酚三缩水甘油基醚、三羟基联苯三缩水甘油基醚、三羟基苯基甲烷三缩水甘油基醚、2-[4-2，3-环氧丙氧基苯基]-2-[4-[1，1-双[4-2，3-环氧丙氧基苯基]乙基]苯基]丙烷、及1，3-双[4-[1-[4-2，3-环氧丙氧基苯基]-1-[4-[1-[4-2，3-环氧丙氧基苯基]-1-甲基乙基]苯基]乙基]苯氧基]-2-丙醇等3官能型环氧树脂；四羟基苯基乙烷四缩水甘油基醚、四缩水甘油基二苯甲酮、双间苯二酚四缩水甘油基醚、及四环氧丙氧基联苯等4官能型环氧树脂；2，2-双羟基甲基-1-丁醇的1，2-环氧-4-2-氧杂环丙基oxiranyl环己烷加成物。2，2-双羟基甲基-1-丁醇的1，2-环氧-4-2-氧杂环丙基环己烷加成物已作为EHPE-3150Daicel公司制在市场上销售。另外，低聚物或聚合物型的多官能环氧化合物也可作为环氧化合物A而优选使用。作为典型的例子，可举出苯酚Novolac型环氧化合物、溴化苯酚Novolac型环氧化合物、邻甲酚Novolac型环氧化合物、二甲苯酚Novolac型环氧化合物、萘酚Novolac型环氧化合物、双酚ANovolac型环氧化合物、双酚ADNovolac型环氧化合物、二环戊二烯型酚醛树脂的环氧化物、萘型酚醛树脂的环氧化物等。另外，也可举出下述式A1所示的化合物作为低聚物或聚合物型的多官能环氧化合物的优选例。式A1中，OGly为缩水甘油基氧基，RA1为卤素原子、或碳原子数为1以上且8以下的1价基团，na为0以上且4以下的整数，nb为括号内的单元的重复数，a为2以上的整数时，在苯环上相邻的2个RA1可以相互键合而形成环，RA2为2价的脂肪族环式基团、或下述式A1-1所示的基团，式A1-1中，OGly为缩水甘油基氧基，RA3为芳香族烃基，RA4为卤素原子、或碳原子数为1以上且4以下的烷基，nc为0或1，nd为0以上且8以下的整数，RA5为氢原子、或下述式A1-2所示的基团，式A1-2中，OGly为缩水甘油基氧基，RA6为卤素原子、碳原子数为1以上且4以下的烷基、或苯基，ne为0以上且4以下的整数。上述式A1所示的环氧化合物优选为平均分子量为800以上的环氧化合物。作为式A1所示的环氧化合物，通过使用具有上述平均分子量的化合物，容易形成耐水性、强度优异的固化物。式A1所示的环氧化合物的平均分子量优选为1000以上，更优选为1200以上，特别优选为1500以上。另外，式A1所示的环氧化合物的平均分子量优选为50000以下，更优选为20000以下。式A1中，RA1为卤素原子、或碳原子数为1以上且8以下的1价基团。作为碳原子数为1以上且8以下的1价基团的具体例，可举出烷基、烷氧基、苯氧基、脂肪族酰基、脂肪族酰基氧基、苯甲酰基、苄基、苯乙基、及不饱和脂肪族烃基。烷基、烷氧基、脂肪族酰基、脂肪族酰基氧基、及不饱和脂肪族烃基可以为直链状，也可以为支链状。关于作为RA1的卤素原子的优选例，可举出氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。关于作为RA1的烷基的优选例，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、及叔丁基，更优选为甲基、及乙基。RA1为碳原子数为1以上且8以下的1价基团时，作为该1价基团，优选烷基、及烷氧基。作为烷基的具体例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、及2-乙基己基。作为烷氧基的具体例，可举出甲氧基、乙氧基、正丙基氧基、异丙基氧基、正丁基氧基、异丁基氧基、仲丁基氧基、叔丁基氧基、正戊基氧基、正己基氧基、正庚基氧基、正辛基氧基、及2-乙基己基氧基。另外，na为2以上且4以下的整数时，多个RA1中的在苯环上相邻的2个RA1可以相互键合而形成环。2个RA1键合而形成的环可以为芳香族环，也可以为脂肪族环，可以为烃环，也可以为杂环。2个RA1键合而形成的环为杂环时，作为该环中包含的杂原子，可举出N、O、S、及Se等。作为通过2个RA1发生键合从而与苯环一同形成的基团的优选例，可举出萘环、及四氢化萘环。式A1中，关于作为RA2的2价的脂肪族环式基团，没有特别限制，也可以是单环式基团的2环以上的多环式基团。需要说明的是，2价的脂肪族环式基团通常在其结构中不包含环氧基，优选不包含环氧基。作为2价的脂肪族环式基团，具体而言，可例举从单环烷烃、双环烷烃、三环烷烃、四环烷烃等多环烷烃去除2个氢原子而得到的基团等。更具体而言，可举出从环戊烷、环己烷等单环烷烃、金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环十二烷等多环烷烃去除2个氢原子而得到的基团等。2价的脂肪族环式基团的碳原子数优选为3以上且50以下，更优选为3以上且30以下，特别优选为3以上且20以下。最优选为3以上且15以下。关于作为RA2的2价的脂肪族环式基团的具体例，可举出如下所示的基团。RA3为芳香族烃基。作为RA3的芳香族烃基的价数为2+nc+nd。作为芳香族烃基，没有特别限制。构成芳香族烃基的芳香族烃环典型地为六元芳香族烃环苯环、或者2个以上苯环相互稠合或介由单键键合而成的环。作为构成芳香族烃基的芳香族烃环的优选的具体例，为苯、萘、蒽、菲、联苯、及三联苯terphenyl。从这些芳香族烃环去除2+nc+nd个氢原子而得到的基团优选作为芳香族烃基RA3。式A1-1所示的基团中，nc为0或1。即，在作为芳香族烃基的RA3上，可以不键合缩水甘油基氧基，也可以键合有1个缩水甘油基氧基。式A1-1所示的基团中，RA4为卤素原子、或碳原子数为1以上且4以下的烷基，d为0以上且8以下的整数。即，RA4为芳香族烃基RA3上的、缩水甘油基氧基以外的取代基，RA3上的取代基数为0以上且8以下。nd优选为0以上且4以下的整数，更优选为0以上且2以下的整数，特别优选为0或1。关于作为RA4的卤素原子的优选例，可举出氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。关于作为RA4的烷基的优选例，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、及叔丁基，更优选甲基、及乙基。式A1-1所示的基团中，RA5为氢原子、或前述的式A1-2所示的基团。式A1-2中的RA6为卤素原子、碳原子数为1以上且4以下的烷基、或苯基。关于卤素原子、及碳原子数为1以上且4以下的烷基的具体例，与RA4同样。对于上文中说明的式A1所示的环氧化合物而言，优选的是，RA2是2价的脂肪族环式基团、或者nc为0且RA5为氢原子的前述式A1-1所示的2价基团。这种情况下，通过在式A1所示的环氧化合物中包含的多个环氧基之间存在适度的距离，从而容易形成耐水性更良好的固化物。式A1所示的环氧化合物可作为市售品获得。关于市售品的具体例，可举出日本化药株式会社制的NC-系列、XD-系列等。另外，也可由DIC株式会社、昭和电工株式会社获得具有特定结构的同等品。将式A1所示的环氧化合物的优选的具体例的化学结构记载于下文。下述式中，OGly表示缩水甘油基氧基，p表示括号内的单元的重复数。作为优选的环氧化合物A的其他例子，可举出具有脂环式环氧基的多官能的脂环式环氧化合物。作为所述脂环式环氧化合物的具体例，可举出2-3，4-环氧环己基-5，5-螺-3，4-环氧环己烷-间二氧杂环己烷、己二酸双3，4-环氧环己基甲基酯bis3，4-epoxycyclohexylmethyladipate、己二酸双3，4-环氧-6-甲基环己基甲基酯、3’，4’-环氧-6’-甲基环己烷甲酸3，4-环氧-6-甲基环己酯、ε-己内酯改性3’，4’-环氧环己烷甲酸3，4-环氧环己基甲酯、三甲基己内酯改性3’，4’-环氧环己烷甲酸3，4-环氧环己基甲酯、β-甲基-δ-戊内酯改性3’，4’-环氧环己烷甲酸3，4-环氧环己基甲酯、亚甲基双3，4-环氧环己烷、乙二醇的二3，4-环氧环己基甲基醚、双3，4-环氧环己烷甲酸亚乙酯、及具有氧化三环癸烯基tricyclodeceneoxidegroup的多官能环氧化合物、下述式a1-1～a1-5所示的化合物。这些脂环式环氧化合物可以单独使用，也可混合2种以上而使用。式a1-1中，Z表示单键或连接基团具有1个以上原子的二价基团。Ra1～Ra18各自独立地为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。作为连接基团Z，可举出例如选自由2价烃基、-O-、-O-CO-、-S-、-SO-、-SO2-、-CBr2-、-CCBr32-、-CCF32-、及-Ra19-O-CO-组成的组中的2价基团及它们中的多个基团键合而成的基团等。关于作为连接基团Z的二价烃基，可举出例如碳原子数为1以上且18以下的直链状或支链状的亚烷基、二价的脂环式烃基等。作为碳原子数为1以上且18以下的直链状或支链状的亚烷基，可举出例如亚甲基、甲基亚甲基、二甲基亚甲基、1，2-亚乙基dimethylenegroup、1，3-亚丙基等。作为上述二价的脂环式烃基，可举出例如1，2-亚环戊基、1，3-亚环戊基、环戊叉基、1，2-亚环己基、1，3-亚环己基、1，4-亚环己基、环己叉基等亚环烷基cycloalkylenegroup包括环烷叉基等。Ra19为碳原子数为1以上且8以下的亚烷基，优选为亚甲基或亚乙基。式a1-2中，Ra1～Ra18为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。Ra2和Ra10可以相互键合。Ra13和Ra16可以相互键合而形成环。ma1为0或1。作为上述式a1-2所示的脂环式环氧化合物，优选属于上述式a1-2中的ma1为0的化合物的、下述式a1-2-1所示的化合物。式a1-2-1中，Rc1～Rc12为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。Ra2和Ra10可以相互键合而形成环。式a1-3中，Ra1～Ra10为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。Ra2和Ra8可以相互键合。式a1-4中，Ra1～Ra12为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。Ra2和Ra10可以相互键合。式a1-5中，Ra1～Ra12为选自由氢原子、卤素原子、及有机基团组成的组中的基团。式a1-1～a1-5中，Ra1～Ra18为有机基团时，有机基团在不妨碍本发明的目的的范围内没有特别限制，可以是烃基，也可以是由碳原子和卤素原子形成的基团，也可以是不仅包含碳原子及氢原子而且还包含卤素原子、氧原子、硫原子、氮原子、硅原子之类的杂原子的那样的基团。作为卤素原子的例子，可举出氯原子、溴原子、碘原子、及氟原子等。作为有机基团，优选烃基；由碳原子、氢原子、及氧原子形成的基团；卤代烃基；由碳原子、氧原子、及卤素原子形成的基团；和由碳原子、氢原子、氧原子、及卤素原子形成的基团。有机基团为烃基时，烃基可以是芳香族烃基，可以是脂肪族烃基，也可以是包含芳香族骨架和脂肪族骨架的基团。有机基团的碳原子数优选为1以上且20以下，更优选为1以上且10以下，特别优选为1以上且5以下。作为烃基的具体例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、及正二十烷基等链状烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-正丙烯基烯丙基、1-正丁烯基、2-正丁烯基、及3-正丁烯基等链状烯基；环丙基、环丁基、环戊基、环己基、及环庚基等环烷基；苯基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、α-萘基、β-萘基、联苯-4-基、联苯-3-基、联苯-2-基、蒽基、及菲基等芳基；苄基、苯乙基、α-萘基甲基、β-萘基甲基、α-萘基乙基、及β-萘基乙基等芳烷基。卤代烃基的具体例为氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、五氟乙基、七氟丙基、全氟丁基、及全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、及全氟癸基等卤代链状烷基；2-氯环己基、3-氯环己基、4-氯环己基、2，4-二氯环己基、2-溴环己基、3-溴环己基、及4-溴环己基等卤代环烷基；2-氯苯基、3-氯苯基、4-氯苯基、2，3-二氯苯基、2，4-二氯苯基、2，5-二氯苯基、2，6-二氯苯基、3，4-二氯苯基、3，5-二氯苯基、2-溴苯基、3-溴苯基、4-溴苯基、2-氟苯基、3-氟苯基、4-氟苯基等卤代芳基；2-氯苯基甲基、3-氯苯基甲基、4-氯苯基甲基、2-溴苯基甲基、3-溴苯基甲基、4-溴苯基甲基、2-氟苯基甲基、3-氟苯基甲基、4-氟苯基甲基等卤代芳烷基。由碳原子、氢原子、及氧原子形成的基团的具体例为羟基甲基、2-羟基乙基、3-羟基正丙基、及4-羟基正丁基等羟基链状烷基；2-羟基环己基、3-羟基环己基、及4-羟基环己基等羟基环烷基；2-羟基苯基、3-羟基苯基、4-羟基苯基、2，3-二羟基苯基、2，4-二羟基苯基、2，5-二羟基苯基、2，6-二羟基苯基、3，4-二羟基苯基、及3，5-二羟基苯基等羟基芳基；2-羟基苯基甲基、3-羟基苯基甲基、及4-羟基苯基甲基等羟基芳烷基；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁基氧基、异丁基氧基、仲丁基氧基、叔丁基氧基、正戊基氧基、正己基氧基、正庚基氧基、正辛基氧基、2-乙基己基氧基、正壬基氧基、正癸基氧基、正十一烷基氧基、正十三烷基氧基、正十四烷基氧基、正十五烷基氧基、正十六烷基氧基、正十七烷基氧基、正十八烷基氧基、正十九烷基氧基、及正二十烷基氧基等链状烷氧基；乙烯基氧基、1-丙烯基氧基、2-正丙烯基氧基烯丙基氧基、1-正丁烯基氧基、2-正丁烯基氧基、及3-正丁烯基氧基等链状烯基氧基；苯氧基、邻甲苯基氧基、间甲苯基氧基、对甲苯基氧基、α-萘基氧基、β-萘基氧基、联苯-4-基氧基、联苯-3-基氧基、联苯-2-基氧基、蒽基氧基、及菲基氧基等芳基氧基；苄基氧基、苯乙基氧基、α-萘基甲基氧基、β-萘基甲基氧基、α-萘基乙基氧基、及β-萘基乙基氧基等芳烷基氧基；甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、2-甲氧基乙基、2-乙氧基乙基、2-正丙氧基乙基、3-甲氧基正丙基、3-乙氧基正丙基、3-正丙氧基正丙基、4-甲氧基正丁基、4-乙氧基正丁基、及4-正丙氧基正丁基等烷氧基烷基；甲氧基甲氧基、乙氧基甲氧基、正丙氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基、2-乙氧基乙氧基、2-正丙氧基乙氧基、3-甲氧基正丙氧基、3-乙氧基正丙氧基、3-正丙氧基正丙氧基、4-甲氧基正丁基氧基、4-乙氧基正丁基氧基、及4-正丙氧基正丁基氧基等烷氧基烷氧基；2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、及4-甲氧基苯基等烷氧基芳基；2-甲氧基苯氧基、3-甲氧基苯氧基、及4-甲氧基苯氧基等烷氧基芳基氧基；甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基、己酰基、庚酰基、辛酰基、壬酰基、及癸酰基等脂肪族酰基；苯甲酰基、α-萘甲酰基、及β-萘甲酰基等芳香族酰基；甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、正丁基氧基羰基、正戊基氧基羰基、正己基氧基羰基、正庚基氧基羰基、正辛基氧基羰基、正壬基氧基羰基、及正癸基氧基羰基等链状烷基氧基羰基；苯氧基羰基、α-萘氧基羰基、及β-萘氧基羰基等芳基氧基羰基；甲酰基氧基、乙酰基氧基、丙酰基氧基、丁酰基氧基、戊酰基氧基、己酰基氧基、庚酰基氧基、辛酰基氧基、壬酰基氧基、及癸酰基氧基等脂肪族酰基氧基；苯甲酰基氧基、α-萘甲酰基氧基、及β-萘甲酰基氧基等芳香族酰基氧基。Ra1～Ra18各自独立地优选为选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且5以下的烷基、及碳原子数为1以上且5以下的烷氧基组成的组中的基团，尤其是从容易形成机械特性优异的固化膜方面考虑，更优选Ra1～Ra18全部为氢原子。式a1-2～a1-5中，Ra1～Ra18与式a1-1中的Ra1～Ra18同样。作为式a1-2及式a1-4中Ra2和Ra10相互键合时、式a1-2中Ra13和Ra16相互键合时、及式a1-3中Ra2和Ra8相互键合时形成的2价基团，可举出例如-CH2-、-CCH32-。作为式a1-1所示的脂环式环氧化合物中优选的化合物的具体例，可举出下述式a1-1a、式a1-1b、及式a1-1c所示的脂环式环氧化合物、2，2-双3，4-环氧环己烷-1-基丙烷[＝2，2-双3，4-环氧环己基丙烷]等。作为式a1-2所示的脂环式环氧化合物中优选的化合物的具体例，可举出下述式a1-2a及下述式a1-2b所示的脂环式环氧化合物。作为式a1-3所示的脂环式环氧化合物中优选的化合物的具体例，可举出S-螺[3-氧杂三环[3.2.1.02，4]辛烷-6，2’-氧杂环丙烷]等。作为式a1-4所示的脂环式环氧化合物中优选的化合物的具体例，可举出4-乙烯基环己烯二氧化物4-vinylcyclohexenedioxide、二戊烯二氧化物、柠檬烯二氧化物、1-甲基-4-3-甲基氧杂环丙烷-2-基-7-氧杂双环[4.1.0]庚烷等。作为式a1-5所示的脂环式环氧化合物中优选的化合物的具体例，可举出1，2，5，6-二环氧基环辛烷等。此外，可以合适地使用下述式a1所示的化合物作为环氧化合物A。式a1中，Xa1、Xa2、及Xa3各自独立地为氢原子、或可以包含环氧基的有机基团，Xa1、Xa2、及Xa3所具有的环氧基的总数为2以上。作为上述式a1所示的化合物，优选下述式a1-6所示的化合物。式a1-6中，Ra20～Ra22为直链状、支链状或环状的亚烷基、亚芳基、-O-、-C＝O-、-NH-及由它们的组合形成的基团，各自可以相同也可以不同。E1～E3为选自由环氧基、氧杂环丁基、烯键式不饱和基团、烷氧基甲硅烷基、异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、硫醇基、羧基、羟基及琥珀酸酐基组成的组中的至少1种取代基或氢原子。其中，E1～E3中的至少2个为选自由环氧基及氧杂环丁基组成的组中的至少1种。式a1-6中，对于Ra20与E1、Ra21与E2、及Ra22与E3所示的基团而言，例如优选至少2个分别为下述式a1-6a所示的基团，更优选各自均为下述式a1-6a所示的基团。优选键合于1个化合物中的多个式a1-6a所示的基团为相同的基团。-L-Caa1-6a式a1-6a中，L为直链状、支链状或环状的亚烷基、亚芳基、-O-、-C＝O-、-NH-及由它们的组合形成的基团，Ca为环氧基。式a1-6a中，L与Ca可以键合而形成环状结构。式a1-6a中，关于作为L的直链状、支链状或环状的亚烷基，优选碳原子数为1以上且10以下的亚烷基，另外，关于作为L的亚芳基，优选碳原子数为5以上且10以下的亚芳基。式a1-6a中，L优选为直链状的碳原子数为1以上且3以下的亚烷基、亚苯基、-O-、-C＝O-、-NH-及由它们的组合形成的基团，优选为亚甲基等直链状的碳原子数为1以上且3以下的亚烷基及亚苯基中的至少1种、或由它们与-O-、-C＝O-及NH-中的至少1种的组合形成的基团。式a1-6a中，作为L与Ca键合而形成了环状结构的情况，例如，支链状的亚烷基与环氧基键合而形成了环状结构具有脂环结构的环氧基的结构的情况下，可举出下述式a1-6b或a1-6c所示的有机基团。式a1-6b中，Ra23为氢原子或甲基。以下，作为式a1-6所示的化合物的例子，示出具有氧杂环丙基、或脂环式环氧基的环氧化合物的例子，但不限于这些。另外，关于可作为环氧化合物A而合适地使用的化合物，可举出在分子内具有2个以上环氧基的硅氧烷化合物以下，也简记为“硅氧烷化合物”。。硅氧烷化合物是在分子内具有由硅氧烷键Si-O-Si构成的硅氧烷骨架、和2个以上环氧基的化合物。作为硅氧烷化合物中的硅氧烷骨架，可举出例如环状硅氧烷骨架、笼型、梯1adder型的聚倍半硅氧烷骨架。作为硅氧烷化合物，其中优选下述式a1-7所示的具有环状硅氧烷骨架的化合物以下，有时称为“环状硅氧烷”。式a1-7中，Ra24及Ra25表示含有环氧基的一价基团或烷基。其中，式a1-7所示的化合物中的x1个Ra24及x1个Ra25中，至少2个为含有环氧基的一价基团。另外，式a1-7中的x1表示3以上的整数。需要说明的是，式a1-7所示的化合物中的Ra24、Ra25可以相同也可以不同。另外，多个Ra24可以相同也可以不同。多个Ra25也是可以相同也可以不同。作为上述含有环氧基的一价基团，优选-D-O-Ra26所示的缩水甘油基醚基[D表示亚烷基，Ra26表示缩水甘油基]。作为上述D亚烷基，可举出例如亚甲基、甲基亚甲基、二甲基亚甲基、1，2-亚乙基、1，3-亚丙基等碳原子数为1以上且18以下的直链状或支链状的亚烷基等。另外，-D-Ra27所示的含有脂环式环氧基的基团也是优选的。Ra27为环氧环烷基。D如上所述，为亚烷基。作为D的亚烷基的优选例也如上文所述。关于作为Ra27的环氧环烷基，优选2，3-环氧环戊基、3，4-环氧环己基、及2，3-环氧环己基。作为-D-Ra27所示的基团，优选2-3，4-环氧环己基乙基。关于作为Ra24及Ra25的烷基的优选例，可举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基等碳原子数为1以上且18以下优选碳原子数为1以上且6以下、特别优选碳原子数为1以上且3以下的直链状或支链状的烷基。式a1-7中的x1表示3以上的整数，其中，从形成固化膜时的交联反应性优异方面考虑，优选3以上且6以下的整数。硅氧烷化合物在分子内具有的环氧基的数目为2个以上，从形成固化膜时的交联反应性优异方面考虑，优选为2个以上且6个以下，特别优选为2个以上且4个以下。固化性组合物中，除了式a1-7所示的硅氧烷化合物以外，还可以包含：含有脂环式环氧基的环状硅氧烷、日本特开2008-248169号公报中记载的含有脂环式环氧基的有机硅树脂、及日本特开2008-19422号公报中记载的在1分子中具有至少2个环氧官能性基团的有机聚倍半硅氧烷树脂等具有硅氧烷骨架的化合物。作为硅氧烷化合物，更具体而言，可举出下述式所示的在分子内具有2个以上环氧基的环状硅氧烷等。另外，作为硅氧烷化合物，例如可使用商品名为“X-40-2670”、“X-40-2701”、“X-40-2728”、“X-40-2738”、“X-40-2740”以上为信越化学工业公司制等的市售品。相对于后述的溶剂S以外的固化性组合物的成分的总质量而言，固化性组合物中的环氧化合物A的含量例如为30质量％以上且98质量％以下，优选为40质量％以上且94质量％以下，更优选为45质量％以上且92质量％以下。另外，根据固化性组合物的用途，优选为7质量％以上且65质量％以下，更优选为13质量％以上且60质量％以下，特别优选为17质量％以上且55质量％以下。通过使用上述范围的量的环氧化合物A，容易形成荧光效率优异的固化膜。固化性组合物包含量子点B。对于量子点B而言，其结构、其构成成分没有特别限制，只要是发挥作为量子点的功能的微粒即可。量子点B是具有符合量子力学的独特光学特性后述的量子局限效应的纳米尺度的材料，通常为半导体纳米粒子。本说明书中，量子点B也包括为了进一步提高发光量子产率而对半导体纳米粒子表面进行了被覆的量子点具有后述的壳结构的量子点、为了稳定化而对半导体纳米粒子进行了表面修饰而得到的量子点。量子点B被认为是吸收比带隙价电子带及传导带的能量差大的能量的光子、发出与其粒径对应的波长的光的半导体纳米粒子，作为量子点B的材料中包含的元素，可举出例如选自由第II族元素2A族、2B族、第III族元素尤其是3A族、第IV族元素尤其是4A族、第V族元素尤其是5A族、及第VI族元素尤其是6A族组成的组中的1种以上。关于优选作为量子点B的材料的化合物或元素，可举出例如II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物及它们的组合。作为II-VI族化合物，可举出选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及它们的混合物组成的组中的至少1种化合物；选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及它们的混合物组成的组中的至少1种化合物；及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及它们的混合物组成的组中的至少1种化合物。作为III-V族化合物，可举出选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及它们的混合物中的至少1种化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP及它们的混合物中的至少1种化合物；及选自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及它们的混合物中的至少1种化合物。作为IV-VI族化合物，可举出选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及它们的混合物中的至少1种化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及它们的混合物中的至少1种化合物；及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及它们的混合物中的至少1种化合物。作为第IV族元素，可举出选自Si、Ge及它们的混合物中的至少1种化合物。作为第IV族化合物，可举出选自SiC、SiGe及它们的混合物中的至少1种化合物。量子点B的结构可以是由1种化合物形成的均匀结构，也可以是由2种以上化合物形成的复合结构，为了提高上述化合物的发光量子产率，量子点B的结构优选为核被1层以上的壳层被覆的核-壳结构，更优选为用半导体材料以外延方式被覆作为核的材质的化合物的粒子表面而成的结构。例如，使用II-VI族的CdSe作为核的材质时，作为其被覆层壳，可使用ZnS、ZnSSe等。壳优选具有与核的材质相同的晶格常数，可适当地选择核-壳的晶格常数之差小的材料的组合。从荧光效率方面考虑，量子点B优选包含含有Cd或In的化合物作为构成成分，进一步考虑到安全性，更优选包含含有In的化合物作为构成成分。作为不具有壳层的均匀结构型的量子点B的优选的具体例，可举出AgInS2、及掺杂有Zn的AgInS2。作为核-壳型的量子点B，可举出InPZnS、InPZnSSe、CuInS2ZnS、及ZnSAgInS2固溶体ZnS。需要说明的是，上文中，核-壳型的量子点B的材质以核的材质壳层的材质的形式记载。另外，从安全性和发光量子产率提高方面考虑，优选将核-壳结构的壳形成为多层结构，更优选形成为2层。在核-多层壳结构的情况下，作为核的材质，优选为选自由InP、ZnS、ZnSe组成的组中的至少1种化合物，更优选包含InP。作为含有比例，在核的总质量中，InP为50质量％以上且100质量％以下，优选为60质量％以上且99质量％以下，更优选为82质量％以上且95质量％以下。另外，在核的总质量中，ZnS及或ZnSe为0质量％以上且50质量％以下，优选为1质量％以上且40质量％以下，更优选为5质量％以上且18质量％以下。多层壳结构中的第1壳的材质优选为选自ZnS、ZnSe、及ZnSSe中的1种以上。作为选自ZnS、ZnSe、及ZnSSe中的1种以上的含有比例，以第1壳的总质量为基准，例如为50质量％以上且100质量％以下，优选为75质量％以上且98质量％以下，更优选为80质量％以上且97质量％以下。第1壳的材质为ZnS及ZnSe的混合物时，混合比质量比没有特别限制，为199以上且991以下，优选为1090以上且9010以下。多层壳结构中，使第2壳在第1壳的表面上生长。第2壳的材质优选为与第1壳的材质等同的材质但是，各材质中，与核的晶格常数之差不同。即，不包括各材质中99％以上同质的情况。作为选自ZnS、ZnSe、及ZnSSe中的1种以上的含有比例，以第2壳的总质量为基准，例如为50质量％以上且100质量％以下，优选为75质量％以上且98质量％以下，更优选为80质量％以上且97质量％以下。第2壳的材质为选自ZnS、ZnSe、及ZnSSe中的2种化合物的混合物时，混合比质量比没有特别限制，为199以上且991以下，优选为1090以上且9010以下。多层壳结构中的第1壳与第2壳的晶格常数存在差异。例如，核与第1壳之间的晶格常数之差为2％以上且8％以下，优选为2％以上且6％以下，更优选为3％以上且5％以下。另外，核与第2壳之间的晶格常数之差为5％以上且13％以下，优选为5％以上且12％以下，更优选为7％以上且10％以下，进一步优选为8％以上且10％以下。另外，第1壳与第2壳的晶格常数之差例如为3％以上且9％以下，优选为3％以上且7％以下，更优选为4％以上且6％以下。这些基于核-多层壳结构的量子点B可具有400nm以上且800nm以下的范围进而为470nm以上且650nm以下的范围、尤其是540nm以上且580nm以下的范围的发光波长emissionwavelength。作为这些基于核-多层壳结构的量子点B，可举出例如InPZnSZnSe、及InPZnSeZnS。另外，量子点B可以经表面修饰。可举出例如膦、膦氧化物、三烷基膦类等磷化合物；吡啶、氨基烷烃类、叔胺类等有机氮化合物；巯基醇、硫醇、二烷基硫醚类、二烷基亚砜类等有机硫化合物；高级脂肪酸、醇类等表面修饰剂有机配体。对于上述的量子点B而言，可以将2种以上组合使用，也可将核-多层壳型的量子点B和均匀结构型的量子点B组合使用。量子点B的平均粒径没有特别限制，只要为能作为量子点发挥功能的范围内即可，优选为0.5nm以上且20nm以下，更优选为1.0nm以上且15nm以下，进一步优选为2nm以上且7nm以下。核-多层壳型的量子点B的情况下，核的尺寸例如为0.5nm以上且10nm以下，优选为2nm以上且5nm以下。壳的平均厚度优选为0.4nm以上且2nm以下，更优选为0.4nm以上且1.4nm以下。壳由第1壳和第2壳形成时，第1壳的平均厚度例如为0.2nm以上且1nm以下，优选为0.2nm以上且0.7nm以下。第2壳的平均厚度与第1壳的平均厚度无关，例如为0.2nm以上且1nm以下，优选为0.2nm以上且0.7nm以下。具有上述范围内的平均粒径的量子点B不仅发挥量子局限效应，作为量子点而良好地发挥功能，而且容易制备，具有稳定的荧光特性。需要说明的是，量子点B的平均粒径例如可通过以下方式定义：将量子点B的分散液涂布于基板上并使其干燥，将挥发成分除去后，用透射型电子显微镜TEM观察其表面。典型地，可以以通过TEM图像的图像分析得到的各粒子的等效圆直径的数均直径的形式来定义该平均粒径。量子点B的形状没有特别限制。作为量子点B的形状的例子，可举出球状、椭球状、圆柱状、多角柱状、圆盘状、及多面体状等。这些中，从处理的容易性、获得容易性的观点考虑，优选为球状。从作为光学膜的特性、波长转换特性良好方面考虑，量子点B优选包含选自由在500nm以上且600nm以下的波长区域具有荧光极大值的化合物B1、及在600nm以上且700nm以下的波长区域具有荧光极大值的化合物B2组成的组中的1种以上，更优选由选自由化合物B1及化合物B2组成的组中的1种以上形成。量子点B的制造方法没有特别限制。可将利用公知的各种方法制造的量子点用作量子点B。作为量子点B的制造方法，例如可采用在配位性的有机溶剂中将有机金属化合物热解的方法。另外，核-壳结构型的量子点B可通过下述方法制造：通过反应而形成均匀的核，然后在已被分散的核的存在下使壳层的前体进行反应而形成壳层。另外，例如，上述具有核-多层壳结构的量子点B可利用WO2013127662号公报中记载的方法制造。需要说明的是，也可使用市售的各种量子点B。相对于后述的溶剂S以外的固化性组合物的成分的总质量而言，量子点B的含量优选为1质量％以上且50质量％以下，更优选为5质量％以上且40质量％以下。量子点B具有壳层、或已被表面修饰的情况下，优选为1质量％以上且12质量％以下，更优选为3质量％以上且10质量％以下。量子点B仅为半导体纳米粒子的情况下不具有壳层及或表面修饰剂的情况下，优选为0.07质量％以上且3质量％以下，更优选为0.1质量％以上且1质量％以下。通过使量子点B的含量为上述的范围，容易得到能形成作为光学膜的特性、波长转换特性良好的膜的固化性组合物。固化性组合物包含产酸剂C作为使环氧化合物A聚合的成分。作为产酸剂C，可以没有特别限制地使用以往在环氧化合物的固化中使用的产酸剂。典型地，作为产酸剂C，可优选使用锍盐、碘鎓盐等鎓盐。固化性组合物优选包含下述式c1所示的锍盐以下，记为“锍盐Q”作为产酸剂C。或者，固化性组合物优选包含含有镓酸根gallate阴离子及或硼酸根阴离子的鎓盐作为产酸剂C。通过使固化性组合物包含锍盐Q作为产酸剂C，从而容易使环氧化合物A的固化良好地进行。式c1中，Rc1及Rc2独立地表示可以被卤素原子取代的烷基或下述式c2所示的基团，Rc1和Rc2可以相互键合并与式中的硫原子一同形成环，Rc3表示下述式c3所示的基团或下述式c4所示的基团，Ac1表示S、O、或Se，X-表示1价阴离子，其中，Rc1及Rc2不会同时为可以被卤素原子取代的烷基。式c2中，环Zc1表示芳香族烃环，Rc4表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氧基、烷基硫基、噻吩基、噻吩基羰基、呋喃基、呋喃基羰基、硒吩基selenophenyl、硒吩基羰基、杂环式脂肪族基团、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m1表示0以上的整数。式c3中，Rc5表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基arylthiocarbonyl、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的亚烷基或者下述式c5所示的基团，Rc6表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的烷基或者下述式c6所示的基团，Ac2表示单键、S、O、亚磺酰基、或羰基，n1表示0或1。式c4中，Rc7及Rc8独立地表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的亚烷基或者下述式c5所示的基团，Rc9及Rc10独立地表示可以被卤素原子取代的烷基或上述式c2所示的基团，Rc9和Rc10可以相互键合并与式中的硫原子一同形成环，Ac3表示单键、S、O、亚磺酰基、或羰基，X-如上所述，n2表示0或1，其中，Rc9及Rc10不会同时为可以被卤素原子取代的烷基。式c5中，环Zc2表示芳香族烃环，Rc11表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m2表示0以上的整数。式c6中，环Zc3表示芳香族烃环，Rc12表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m3表示0以上的整数。锍盐Q以下，对锍盐Q进行说明。锍盐Q的特征在于，在上述式c1中的苯环中，在相对于Ac1所键合的碳原子为邻位的碳原子上键合有甲基。锍盐Q由于在上述位置具有甲基，因而与以往的锍盐相比，容易产生质子，对紫外线等活性能量射线的敏感度高。上述式c1中，优选Rc1及Rc2均为上述式c2所示的基团。Rc1及Rc2相互可以相同也可以不同。上述式c1中，Rc1和Rc2相互键合并与式中的硫原子一同形成环时，构成形成的环的原子数包括硫原子在内优选为3以上且10以下，更优选为5以上且7以下。形成的环可以为多环，优选环构成原子数为5以上且7以下的单环稠合而成的多环。上述式c1中，优选Rc1及Rc2均为苯基。上述式c1中，Rc3优选为上述式c3所示的基团。上述式c1中，Ac1优选为S或O，更优选为S。上述式c2中，Rc4优选为可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷基羰基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、可经取代的氨基、或硝基，更优选为可以被卤素原子取代的烷基、烷基羰基、或噻吩基羰基。上述式c2中，m1可根据环Zc1的种类来选择，例如，可以为0以上且4以下的整数、优选0以上且3以下的整数、更优选0以上且2以下的整数。上述式c3中，Rc5优选为亚烷基；被羟基、可经取代的氨基、或硝基取代的亚烷基；或上述式c5所示的基团，更优选为上述式c5所示的基团。上述式c3中，Rc6优选为烷基；被羟基、可经取代的氨基、或硝基取代的烷基；或上述式c6所示的基团，更优选为上述式c6所示的基团。上述式c3中，Ac2优选为S或O，更优选为S。上述式c3中，n1优选为0。上述式c4中，Rc7及Rc8独立地优选为亚烷基；被羟基、可经取代的氨基、或硝基取代的亚烷基；或上述式c5所示的基团，更优选为上述式c5所示的基团。Rc7及Rc8相互可以相同也可以不同。上述式c4中，优选Rc9及Rc10均为上述式c2所示的基团。Rc9及Rc10相互可以相同也可以不同。上述式c4中，Rc9和Rc10相互键合并与式中的硫原子一同形成环时，构成形成的环的原子数包括硫原子在内优选为3以上且10以下，更优选为5以上且7以下。形成的环可以为多环，优选环构成原子数为5以上且7以下的单环稠合而成的多环。上述式c4中，Ac3优选为S或O，更优选为S。上述式c4中，n2优选为0。上述式c5中，Rc11优选为可以被卤素原子取代的烷基、羟基、可经取代的氨基、或硝基，更优选为可以被卤素原子取代的烷基。上述式c5中，m2可根据环Zc2的种类来选择，例如，可以为0以上且4以下的整数、优选0以上且3以下的整数、更优选0以上且2以下的整数。上述式c6中，Rc12优选为可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷基羰基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、可经取代的氨基、或硝基，更优选为可以被卤素原子取代的烷基、烷基羰基、或噻吩基羰基。上述式c6中，m3可根据环Zc3的种类来选择，例如，可以为0以上且4以下的整数、优选0以上且3以下的整数、更优选0以上且2以下的整数。上述式c1中，X-为与通过向锍盐Q照射活性能量热、可见光、紫外线、电子束、及X射线等而产生的酸HX对应的1价阴离子。使用锍盐Q作为产酸剂的情况下，作为X-，可合适地举出1价的多原子阴离子，更优选为MYa-、RfbPF6-b-、Rx1cBY4-c-、Rx1cGaY4-c-、Rx2SO3-、Rx2SO23C-、或Rx2SO22N-所示的阴离子。另外，X-可以为卤素阴离子，可举出例如氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子等。M表示磷原子、硼原子、或锑原子。Y表示卤素原子优选为氟原子。。Rf表示氢原子的80摩尔％以上被氟原子取代的烷基优选碳原子数为1以上且8以下的烷基。。作为通过氟取代而形成Rf的烷基，可举出直链烷基甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及辛基等、支链烷基异丙基、异丁基、仲丁基及叔丁基等及环烷基环丙基、环丁基、环戊基及环己基等等。Rf中，这些烷基的氢原子被氟原子取代的比例基于烷基原本具有的氢原子的摩尔数而言优选为80摩尔％以上，进一步优选为90％以上，特别优选为100％。被氟原子取代的比例在上述优选的范围内时，锍盐Q的光感应性变得更良好。作为特别优选的Rf，可举出CF3-、CF3CF2-、CF32CF-、CF3CF2CF2-、CF3CF2CF2CF2-、CF32CFCF2-、CF3CF2CF3CF-及CF33C-。b个Rf相互独立，因此，相互可以相同也可以不同。P表示磷原子，F表示氟原子。Rx1表示氢原子的一部分被至少1个元素或吸电子基团取代的苯基。作为这样的1个元素的例子，包括卤素原子，可举出氟原子、氯原子及溴原子等。作为吸电子基团，可举出三氟甲基、硝基及氰基等。这些中，优选至少1个氢原子被氟原子或三氟甲基取代的苯基。c个Rx1相互独立，因此，相互可以相同也可以不同。B表示硼原子，Ga表示镓原子。Rx2表示碳原子数为1以上且20以下的烷基、碳原子数为1以上且20以下的氟烷基或碳原子数为6以上且20以下的芳基，烷基及氟烷基可以是直链状、支链状或环状中的任何，烷基、氟烷基、或芳基可以为未取代，也可以具有取代基。作为上述取代基，可举出例如羟基、可经取代的氨基例如，可举出关于上述式c2～c6而在后述的说明中例举的基团。、及硝基等。另外，Rx2所示的烷基、氟烷基或芳基中的碳链可以具有氧原子、氮原子、硫原子等杂原子。尤其是，Rx2所示的烷基或氟烷基中的碳链可以具有2价的官能团例如，醚键、羰基键、酯键、氨基键、酰胺键、酰亚胺键、磺酰基键、磺酰基酰胺键、磺酰基酰亚胺键、氨基甲酸酯键等。Rx2所示的烷基、氟烷基或芳基具有上述取代基、杂原子、或官能团时，上述取代基、杂原子、或官能团的个数可以为1个，也可以为2个以上。S表示硫原子，O表示氧原子，C表示碳原子，N表示氮原子。a表示4以上且6以下的整数。b优选为1以上且5以下的整数，进一步优选为2以上且4以下的整数，特别优选为2或3。c优选为1以上且4以下的整数，进一步优选为4。作为MYa-所示的阴离子，可举出SbF6-、PF6-或BF4-所示的阴离子等。作为RfbPF6-b-所示的阴离子，可举出CF3CF22PF4-、CF3CF23PF3-、CF32CF2PF4-、CF32CF3PF3-、CF3CF2CF22PF4-、CF3CF2CF23PF3-、CF32CFCF22PF4-、CF32CFCF23PF3-、CF3CF2CF2CF22PF4-或CF3CF2CF2CF23PF3-所示的阴离子等。这些中，优选CF3CF23PF3-、CF3CF2CF23PF3-、CF32CF3PF3-、CF32CF2PF4-、CF32CFCF23PF3-或CF32CFCF22PF4-所示的阴离子。作为Rx1cBY4-c-所示的阴离子，优选为：Rx1cBY4-c-式中，Rx1表示氢原子的至少一部分被卤素原子或吸电子基团取代的苯基，Y表示卤素原子，c表示1以上且4以下的整数。可举出例如C6F54B-、CF32C6H34B-、CF3C6H44B-、C6F52BF2-、C6F5BF3-或C6H3F24B-所示的阴离子等。这些中，优选C6F54B-或CF32C6H34B-所示的阴离子。作为Rx1cGaY4-c-所示的阴离子，可举出：四九氟联苯-4-基镓酸根阴离子，四七氟萘-1-基镓酸根阴离子，四五氟苯基镓酸根阴离子，四3，4，5-三氟苯基镓酸根阴离子，四九氟联苯-2-基镓酸根阴离子，四七氟萘-2-基镓酸根阴离子，四九氟蒽-7-基镓酸根阴离子，四4’-甲氧基八氟联苯-4-基镓酸根阴离子，四2，4，6-三三氟甲基苯基镓酸根阴离子，四3，5-双三氟甲基苯基镓酸根阴离子，四2，3-双五氟乙基萘基镓酸根阴离子，四2-异丙氧基-六氟萘基镓酸根阴离子，四9，10-双七氟丙基七氟蒽基镓酸根阴离子，四9-九氟菲基镓酸根阴离子，四4-[三异丙基甲硅烷基]-四氟苯基镓酸根阴离子，四9，10-双对甲苯基-七氟菲基镓酸根阴离子，四4-[二甲基叔丁基甲硅烷基]-四氟苯基镓酸根阴离子，单苯基三五氟苯基镓酸根阴离子，及单全氟丁基三五氟苯基镓酸根阴离子等。更优选可举出C6F54Ga-、CF32C6H34Ga-、CF3C6H44Ga-、C6F52GaF2-、C6F5GaF3-或C6H3F24Ga-所示的阴离子等。这些中，进一步优选C6F54Ga-或CF32C6H34Ga-所示的阴离子。作为Rx2SO3-所示的阴离子，可举出三氟甲磺酸阴离子、五氟乙磺酸阴离子、七氟丙磺酸阴离子、九氟丁磺酸阴离子、五氟苯磺酸阴离子、对甲苯磺酸阴离子、苯磺酸阴离子、樟脑磺酸阴离子、甲磺酸阴离子、乙磺酸阴离子、丙磺酸阴离子及丁磺酸阴离子等。这些中，优选三氟甲磺酸阴离子、九氟丁磺酸阴离子、甲磺酸阴离子、丁磺酸阴离子、樟脑磺酸阴离子、苯磺酸阴离子或对甲苯磺酸阴离子。作为Rx2SO23C-所示的阴离子，可举出CF3SO23C-、C2F5SO23C-、C3F7SO23C-或C4F9SO23C-所示的阴离子等。作为Rx2SO22N-所示的阴离子，可举出CF3SO22N-、C2F5SO22N-、C3F7SO22N-或C4F9SO22N-所示的阴离子等。作为一价的多原子阴离子，除了MYa-、RfbPF6-b-、Rx1cBY4-c-、Rx1cGaY4-c-、Rx2SO3-、Rx2SO23C-或Rx2SO22N-所示的阴离子以外，可使用高卤酸离子ClO4-、BrO4-等、卤代磺酸离子FSO3-、ClSO3-等、硫酸离子CH3SO4-、CF3SO4-、HSO4-等、碳酸离子HCO3-、CH3CO3-等、铝酸离子AlCl4-、AlF4-等、六氟铋酸离子BiF6-、羧酸离子CH3COO-、CF3COO-、C6H5COO-、CH3C6H4COO-、C6F5COO-、CF3C6H4COO-等、芳基硼酸离子BC6H54-、CH3CH2CH2CH2BC6H53-等、硫氰酸离子SCN-及硝酸离子NO3-等。这些X-中，从阳离子聚合性能方面考虑，优选MYa-、RfbPF6-b-、Rx1cBY4-c-、Rx1cGaY4-c-及Rx2SO23C-所示的阴离子，更优选SbF6-、PF6-、CF3CF23PF3-、C6F54B-、CF32C6H34B-、C6F54Ga-、CF32C6H34Ga-及CF3SO23C-，进一步优选Rx1cBY4-c-。上述式c2、c5、及c6中，作为芳香族烃环，可举出苯环、稠合多环式芳香族烃环[例如，稠合二环式烃环例如，萘环等C8-20稠合二环式烃环，优选C10-16稠合二环式烃环、稠合三环式芳香族烃环例如，蒽环、菲环等等稠合2～4环式芳香族烃环]等。芳香族烃环优选为苯环或萘环，更优选为苯环。上述式c1～c6中，作为卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子等。上述式c1～c6中，作为烷基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链烷基甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正辛基、正癸基、正十二烷基、正十四烷基、正十六烷基、及正十八烷基等、碳原子数为3以上且18以下的支链烷基异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、及异十八烷基等、以及碳原子数为3以上且18以下的环烷基环丙基、环丁基、环戊基、环己基、及4-癸基环己基等等。尤其是，上述式c1、c2、及c4～c6中，所谓可以被卤素原子取代的烷基，是指烷基及被卤素原子取代的烷基。作为被卤素原子取代的烷基，可举出用卤素原子取代了上述的直链烷基、支链烷基、或环烷基中的至少1个氢原子而得到的基团单氟甲基、二氟甲基、三氟甲基等等。可以被卤素原子取代的烷基中，关于Rc1、Rc2、Rc9、或Rc10，特别优选三氟甲基，关于Rc4、Rc6、Rc11、或Rc12，特别优选甲基。上述式c2～c6中，作为烷氧基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链或支链烷氧基甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、己基氧基、癸基氧基、十二烷基氧基、及十八烷基氧基等等。上述式c2～c6中，作为烷基羰基中的烷基，可举出上述的碳原子数为1以上且18以下的直链烷基、碳原子数为3以上且18以下的支链烷基或碳原子数为3以上且18以下的环烷基，作为烷基羰基，可举出碳原子数为2以上且18以下的直链状、支链状或环状的烷基羰基乙酰基、丙酰基、丁酰基、2-甲基丙酰基、庚酰基、2-甲基丁酰基、3-甲基丁酰基、辛酰基、癸酰基、十二烷酰基、十八烷酰基、环戊酰基、及环己酰基等等。上述式c3～c6中，作为芳基羰基，可举出碳原子数为7以上且11以下的芳基羰基苯甲酰基及萘甲酰基等等。上述式c2～c6中，作为烷氧基羰基，可举出碳原子数为2以上且19以下的直链或支链烷氧基羰基甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、辛基氧基羰基、十四烷基氧基羰基、及十八烷基氧基羰基等等。上述式c3～c6中，作为芳基氧基羰基，可举出碳原子数为7以上且11以下的芳基氧基羰基苯氧基羰基及萘氧基羰基等等。上述式c3～c6中，作为芳基硫基羰基，可举出碳原子数为7以上且11以下的芳基硫基羰基苯基硫基羰基及萘氧基硫基羰基等等。上述式c2～c6中，作为酰氧基，可举出碳原子数为2以上且19以下的直链或支链酰氧基乙酰氧基、乙基羰基氧基、丙基羰基氧基、异丙基羰基氧基、丁基羰基氧基、异丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、辛基羰基氧基、十四烷基羰基氧基、及十八烷基羰基氧基等等。上述式c3～c6中，作为芳基硫基，可举出碳原子数为6以上且20以下的芳基硫基苯基硫基、2-甲基苯基硫基、3-甲基苯基硫基、4-甲基苯基硫基、2-氯苯基硫基、3-氯苯基硫基、4-氯苯基硫基、2-溴苯基硫基、3-溴苯基硫基、4-溴苯基硫基、2-氟苯基硫基、3-氟苯基硫基、4-氟苯基硫基、2-羟基苯基硫基、4-羟基苯基硫基、2-甲氧基苯基硫基、4-甲氧基苯基硫基、1-萘基硫基、2-萘基硫基、4-[4-苯基硫基苯甲酰基]苯基硫基、4-[4-苯基硫基苯氧基]苯基硫基、4-[4-苯基硫基苯基]苯基硫基、4-苯基硫基苯基硫基、4-苯甲酰基苯基硫基、4-苯甲酰基-2-氯苯基硫基、4-苯甲酰基-3-氯苯基硫基、4-苯甲酰基-3-甲基硫基苯基硫基、4-苯甲酰基-2-甲基硫基苯基硫基、4-4-甲基硫基苯甲酰基苯基硫基、4-2-甲基硫基苯甲酰基苯基硫基、4-对甲基苯甲酰基苯基硫基、4-对乙基苯甲酰基苯基硫基、4-对异丙基苯甲酰基苯基硫基、及4-对叔丁基苯甲酰基苯基硫基等等。上述式c2～c6中，作为烷基硫基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链或支链烷基硫基甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、异丙基硫基、丁基硫基、异丁基硫基、仲丁基硫基、叔丁基硫基、戊基硫基、异戊基硫基、新戊基硫基、叔戊基硫基、辛基硫基、癸基硫基、十二烷基硫基、及异十八烷基硫基等等。上述式c3～c6中，作为芳基，可举出碳原子数为6以上且10以下的芳基苯基、甲苯基、二甲基苯基、及萘基等等。上述式c2中，作为杂环式脂肪族基团，可举出碳原子数为2以上且20以下优选4以上且20以下的杂环基吡咯烷基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、哌啶基、四氢吡喃基、四氢噻喃基、吗啉基等等。上述式c3～c6中，作为杂环基，可举出碳原子数为4以上且20以下的杂环基噻吩基、呋喃基、硒吩基、吡喃基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、吖啶基、吩噻嗪基、吩嗪基、呫吨基、噻蒽基thianthrenyl、吩噁嗪基phenoxazinyl、吩噻噁基phenoxathiinyl、苯并二氢吡喃基、异苯并二氢吡喃基、二苯并噻吩基、呫吨酮基xanthonyl、噻吨酮基thioxanthonyl、及二苯并呋喃基等等。上述式c3～c6中，作为芳基氧基，可举出碳原子数为6以上且10以下的芳基氧基苯氧基及萘基氧基等等。上述式c2～c6中，作为烷基亚磺酰基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链或支链亚磺酰基甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、丙基亚磺酰基、异丙基亚磺酰基、丁基亚磺酰基、异丁基亚磺酰基、仲丁基亚磺酰基、叔丁基亚磺酰基、戊基亚磺酰基、异戊基亚磺酰基、新戊基亚磺酰基、叔戊基亚磺酰基、辛基亚磺酰基、及异十八烷基亚磺酰基等等。上述式c3～c6中，作为芳基亚磺酰基，可举出碳原子数为6以上且10以下的芳基亚磺酰基苯基亚磺酰基、甲苯基亚磺酰基、及萘基亚磺酰基等等。上述式c2～c6中，作为烷基磺酰基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链或支链烷基磺酰基甲基磺酰基、乙基磺酰基、丙基磺酰基、异丙基磺酰基、丁基磺酰基、异丁基磺酰基、仲丁基磺酰基、叔丁基磺酰基、戊基磺酰基、异戊基磺酰基、新戊基磺酰基、叔戊基磺酰基、辛基磺酰基、及十八烷基磺酰基等等。上述式c3～c6中，作为芳基磺酰基，可举出碳原子数为6以上且10以下的芳基磺酰基苯基磺酰基、甲苯基磺酰基甲苯磺酰基、及萘基磺酰基等等。上述式c2～c6中，作为羟基聚亚烷基氧基，可举出HOAOq-式中，AO独立地表示亚乙基氧基及或亚丙基氧基propyleneoxygroup，q表示1以上且5以下的整数。所示的羟基聚亚烷基氧基等。上述式c2～c6中，作为可经取代的氨基，可举出氨基-NH2及碳原子数为1以上且15以下的取代氨基甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、甲基乙基氨基、二乙基氨基、正丙基氨基、甲基正丙基氨基、乙基正丙基氨基、正丙基氨基、异丙基氨基、异丙基甲基氨基、异丙基乙基氨基、二异丙基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、甲基苯基氨基、乙基苯基氨基、正丙基苯基氨基、及异丙基苯基氨基等等。上述式c3及c4中，作为亚烷基，可举出碳原子数为1以上且18以下的直链或支链亚烷基亚甲基、1，2-亚乙基、1，1-亚乙基、丙烷-1，3-二基、丙烷-1，2-二基、丙烷-1，1-二基、丙烷-2，2-二基、丁烷-1，4--二基、丁烷-1，3-二基、丁烷-1，2-二基、丁烷-1，1-二基、丁烷-2，2-二基、丁烷-2，3-二基、戊烷-1，5-二基、戊烷-1，4-二基、己烷-1，6-二基、庚烷-1，7-二基、辛烷-1，8-二基、2-乙基己烷-1，6-二基、壬烷-1，9-二基、癸烷-1，10-二基、十一烷-1，11-二基、十二烷-1，12-二基、十三烷-1，13-二基、十四烷-1，14-二基、十五烷-1，15-二基、及十六烷-1，16-二基等等。锍盐Q例如可按照下述合成路径合成。具体而言，在氢氧化钾等碱的存在下，使下述式C2所示的化合物与下述式C1所示的1-氟-2-甲基-4-硝基苯反应，得到下述式C3所示的硝基化合物，接下来，在还原铁的存在下进行还原，得到下述式C4所示的胺化合物。使该胺化合物与MaNO2式中，Ma表示金属原子、例如钠原子等碱金属原子。所示的亚硝酸盐例如，亚硝酸钠反应，得到重氮化合物，接下来，将该重氮化合物、CuX’式中，X’表示溴原子等卤素原子。以下相同所示的卤化亚铜和HX’所示的卤化氢混合，进行反应，得到下述式C5所示的卤化物。由该卤化物及镁制备格氏试剂，接下来，在三甲基氯硅烷的存在下，使该格氏试剂与下述式C6所示的亚砜化合物反应，可得到下述式C7所示的锍盐。进而，使该锍盐与Mb+X”-式中，Mb+表示金属阳离子、例如钾离子等碱金属阳离子，X”-表示X-所示的1价阴离子其中，不包括卤素阴离子。。所示的盐反应，进行盐交换，由此，可得到下述式C8所示的锍盐。需要说明的是，下述式C2～C8中，Rc1～Rc3及Ac1与上述式c1同样。作为上述式c1所示的锍盐Q的阳离子部的具体例，在下文中例举。作为上述式c1所示的锍盐Q的阴离子部的具体例，可举出在上述X-的说明中举出的阴离子等现有已知的阴离子。上述式c1所示的锍盐Q可按照上述合成路径合成，根据需要进一步进行盐交换，由此，能将阳离子部与所期望的阴离子部组合，特别优选与Rx1cBY4-c-式中，Rx1表示氢原子的至少一部分被卤素原子或吸电子基团取代的苯基，Y表示卤素原子，c表示1以上且4以下的整数。所示的阴离子的组合。上述的优选的阳离子部的组中，更优选下述式所示的阳离子部。产酸剂C包含上述的锍盐Q时，对于产酸剂C而言，除了上述的锍盐Q以外，还可包含锍盐Q以外的其他产酸剂。这种情况下，产酸剂C中的锍盐Q的含量没有特别限制，典型地，优选为70质量％以上，更优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上，最优选为100质量％。需要说明的是，固化性组合物包含含有镓酸根阴离子及或硼酸根阴离子的鎓盐作为产酸剂C的情况下，该鎓盐的阳离子部不限于上述式c1所示的锍盐的阳离子部，也可以是与后述的其他产酸剂所举出的阳离子部形成的鎓盐。通过使固化性组合物包含含有镓酸根阴离子及或硼酸根阴离子的鎓盐作为产酸剂C，从而本发明的效果优异。固化性组合物包含含有镓酸根阴离子及或硼酸根阴离子的鎓盐作为产酸剂C时的鎓盐的含量没有特别限制，典型地，优选为70质量％以上，更优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上，最优选为100质量％。其他产酸剂作为锍盐Q以外的其他产酸剂，可以没有特别限制地使用以往被用于环氧化合物的固化的各种产酸剂。作为其他产酸剂，优选碘鎓盐、锍盐等鎓盐，更优选锍盐Q以外的其他锍盐。以下，也将锍盐Q以外的其他锍盐记为“锍盐Q’”。其他锍盐Q’与锍盐Q同样地，优选包含作为1价阴离子X-的、上述的Rx1cBY4-c-所示的阴离子或上述的Rx1cGaY4-c-所示的阴离子。作为具有Rx1cBY4-c-所示的1价阴离子的锍盐Q’，可举出例如下述式c1’所示的锍盐。作为具有Rx1cGaY4-c-所示的1价阴离子的锍盐Q’，为将下述式c1’中的B替换为Ga而得到的锍盐。式中，Rc1、Rc1、Rc3、Ac1、Rx1、Y及c如上所述。作为上述式c1’所示的锍盐Q’的阳离子部的具体例，可举出以下的阳离子。作为锍盐Q’的阳离子部的典型的例子，还可举出以下的阳离子。固化性组合物中的产酸剂C的含量没有特别限制，只要固化性组合物的固化良好地进行即可。从容易使固化性组合物良好地固化方面考虑，典型地，相对于环氧化合物A100质量份而言，优选为0.01质量份以上且5质量份以下，更优选为0.05质量份以上且4质量份以下，特别优选为0.1质量份以上且3质量份以下。固化性组合物可包含敏化剂D。作为敏化剂，可以没有特别限制地使用以往与各种产酸剂并用的已知的敏化剂。作为敏化剂的具体例，可举出蒽、9，10-二丁氧基蒽、9，10-二甲氧基蒽、9，10-二乙氧基蒽、2-乙基-9，10-二甲氧基蒽、及9，10-二丙氧基蒽等蒽化合物；芘；1，2-苯并蒽；苝；丁省；六苯并苯coronene；噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-异丙基噻吨酮及2，4-二乙基噻吨酮等噻吨酮化合物；吩噻嗪、N-甲基吩噻嗪、N-乙基吩噻嗪、及N-苯基吩噻嗪等吩噻嗪化合物；呫吨酮；1-萘酚、2-萘酚、1-甲氧基萘、2-甲氧基萘、1，4-二羟基萘、及4-甲氧基-1-萘酚等萘化合物；二甲氧基苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、4’-异丙基-2-羟基-2-甲基苯丙酮、及4-苯甲酰基-4’-甲基二苯基硫醚等酮；N-苯基咔唑、N-乙基咔唑、聚-N-乙烯基咔唑、及N-缩水甘油基咔唑等咔唑化合物；1，4-二甲氧基及1，4-二-α-甲基苄基氧基等化合物；9-羟基菲、9-甲氧基菲、9-羟基-10-甲氧基菲、及9-羟基-10-乙氧基菲等菲化合物。这些敏化剂也可组合使用2种以上。敏化剂D的使用量没有特别限制，相对于产酸剂C100质量份而言，优选为1质量份以上且300质量份以下，更优选为5质量份以上且200质量份以下。通过使用上述范围的敏化剂D，容易得到所期望的敏化作用。对于固化性组合物而言，出于调节涂布性、成膜性的目的，可以根据需要含有溶剂S。作为溶剂S，可以在不妨碍本发明的目的的范围内，没有特别限制地使用以往在各种固化性组合物中配合的溶剂。溶剂S可以组合地包含2种以上溶剂。作为溶剂S的优选的具体例，可举出甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇等醇类；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇类；丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基正戊基酮、甲基异戊基酮、2-庚酮等酮类；γ-丁内酯等含有内酯环的有机溶剂；乙二醇单乙酸酯、二乙二醇单乙酸酯、丙二醇单乙酸酯、或二丙二醇单乙酸酯等具有酯键的化合物、前述多元醇类或前述具有酯键的化合物的单甲基醚、单乙基醚、单丙基醚、单丁基醚等单烷基醚或单苯基醚等具有醚键的化合物等多元醇类的衍生物；二氧杂环己烷之类的环式醚类；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸环丙酯、乙酸环丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯类；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯基甲醚cresylmethylether、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、异丙基苯、甲苯、二甲苯、伞花烃、均三甲苯等芳香族系有机溶剂；N，N，N’，N’-四甲基脲、N，N，2-三甲基丙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮等含有氮的有机溶剂。上述的溶剂中，作为溶剂S，优选丙二醇单甲基醚乙酸酯PGMEA、丙二醇单甲基醚PGME、N，N，N’，N’-四甲基脲、及丁醇。溶剂S的使用量在不妨碍本发明的目的的范围内没有特别限制。从制膜性方面考虑，溶剂S可以以固化性组合物中的溶剂S以外的成分的浓度成为优选1质量％以上且50质量％以下、更优选10质量％以上且40质量％以下的量使用。作为其他成分的例子，可举出产碱剂、催化剂、硅烷偶联剂、密合增强剂、分散剂、表面活性剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、消泡剂、粘度调节剂、树脂、橡胶粒子、及着色剂等。需要说明的是，固化性组合物包含碱溶性树脂作为树脂时，可向固化性组合物赋予碱显影性。另外，固化性组合物包含橡胶粒子时，可向固化膜赋予弹性，容易消除固化膜的脆性。《固化性组合物的制造方法》通过以规定的比率将上文中说明的各成分均匀混合，能制造固化性组合物。作为可用于制造固化性组合物的混合装置，可举出双辊磨、三辊磨等。固化性组合物的粘度足够低时，根据需要，为了将不溶性的异物除去，可使用具有所期望的尺寸的开口的过滤器对固化性组合物进行过滤。《固化物的制造方法》固化物的制造方法没有特别限制，只要是能使已成型为所期望的形状的固化性组合物固化的方法即可。固化方法没有特别限制，可以是加热，也可以是曝光，也可将加热与曝光组合来进行。成型体的形状没有特别限制，优选为膜film。将膜状的成型体固化而得到的、由固化性组合物的固化物形成的膜可作为发光显示元件用光学膜而合适地使用。以下说明以膜的形式制造固化物的方法的典型例。膜在层叠体、发光显示元件面板等中可以直接形成于各种功能层上，也可以在形成于金属基板、玻璃基板等任意材质的基板上后将其从基板剥离而使用。首先，在任意的基板、功能层等上涂布固化性组合物而形成涂布膜。作为涂布方法，可举出使用辊涂机、逆转涂布机reversecoater、棒涂机等接触转印型涂布装置、旋涂器旋转式涂布装置、狭缝涂布机、幕涂流动涂料器curtainflowcoater等非接触型涂布装置的方法。另外，可在将固化性组合物的粘度调节至适当的范围后，利用喷墨法、丝网印刷法等印刷法进行固化性组合物的涂布，形成已被图案化为所期望形状的涂布膜。接下来，根据需要，将溶剂S等挥发成分除去，使涂布膜干燥。干燥方法没有特别限制，例如可举出下述方法：使用真空干燥装置VCD，在室温下进行减压干燥，然后，用加热板于60℃以上且120℃以下、优选70℃以上且100℃以下的温度干燥60秒以上且180秒以下。按照上述方式形成涂布膜后，对涂布膜实施曝光及或加热。曝光通过照射准分子激光等活性能量射线来进行。照射的能量射线量根据固化性组合物的组成的不同而不同，例如优选为30mJcm2以上且2000mJcm2以下，更优选为50mJcm2以上且500mJcm2以下。进行加热时的温度没有特别限制，优选为180℃以上且280℃以下，更优选为200℃以上且260℃以下，特别优选为220℃以上且250℃以下。加热时间典型地优选为1分钟以上且60分钟以下，更优选为10分钟以上且50分钟以下，特别优选为20分钟以上且40分钟以下。固化膜的膜厚没有特别限制。固化膜的膜厚典型地为0.1μm以上且10μm以下，优选为0.2μm以上且5μm以下，更优选为0.5μm以上且3μm以下。利用上文中说明的方法形成的包含量子点B的膜的荧光效率优异，可作为发光显示元件用光学膜而合适地使用，另外，可合适地用于制造适合在发光显示元件中使用的层叠体。《层叠体》层叠体是包含由固化性组合物的固化物形成的前述膜的层叠体。所述层叠体可以是仅由含有量子点B的膜形成的层叠体，也可以是由含有量子点B的膜与其他功能层形成的层叠体。作为层叠体，例如可举出下述层叠体，所述层叠体中，层叠有2层以上的包含已被分散于各种基体材料中的量子点B的膜，且包含由固化性组合物的固化物形成的1层以上的前述膜。所述层叠体可以是仅层叠有由固化性组合物的固化物形成的膜的层叠体，也可以是层叠有由固化性组合物的固化物形成的膜、和由固化性组合物的固化物形成的膜以外的包含量子点B的其他膜的层叠体。作为其他膜的例子，可举出在选自不属于前述环氧化合物A的环氧化合物的固化物、丙烯酸树脂例如，聚甲基丙烯酸甲酯、及聚甲基丙烯酸丁酯等、降冰片烯树脂、聚烯烃例如聚乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙酸乙烯酯、聚脲、聚氨酯、聚酯树脂例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、及聚碳酸酯树脂等中的1种以上基体材料中分散量子点B而成的膜。层叠含有量子点B的多层膜而制造层叠体时，优选相邻的膜的折射率不同。另外，优选交替层叠折射率高的高折射率膜、和折射率低的低折射率膜。这种情况下，相邻的膜的折射率之差优选为0.4以上且2.0以下。反复层叠折射率不同的多层的情况下，在从光源入射的光线通过层叠体时，容易通过由光线的折射导致的发散来提高入射光的利用效率。含有量子点B的膜优选包含对来自光源的入射光进行波长转换而产生红色光的量子点、和对来自光源的入射光进行波长转换而产生绿色光的量子点。另外，交替层叠包含产生红色光的量子点的膜、和包含产生绿色光的量子点的膜也是优选的。通过将这样的结构的层叠体应用于发光显示元件面板，能通过波长转换而提取出色纯度高的绿色光和红色光，因此，能扩大具备发光显示元件面板的发光显示装置的色相的再现范围。需要说明的是，作为光源，典型地，可利用蓝色光、白色光。通过组合使用上述光源和上述的层叠体，能提取出色纯度高的红色光、绿色光、及蓝色光，能显示色相良好的鲜明图像。作为发光显示装置，没有特别限制，只要是利用光源的发光来显示图像的装置即可，可举出液晶显示装置、有机EL显示装置等。作为含有量子点B的膜的由固化性组合物的固化物形成的前述膜还优选与其他功能层层叠。以下，对于由固化性组合物的固化物形成的前述膜，有时简记为“含有量子点的膜”。含有量子点的膜优选包含对来自光源的入射光进行波长转换而产生红色光的量子点、和对来自光源的入射光进行波长转换而产生绿色光的量子点。另外，作为光源，典型地，可利用蓝色光、白色光。作为其他功能层，可举出使光线扩散的扩散层、具有比含硅树脂膜或二氧化硅膜更低的折射率的低折射率层、使从光源入射的光的一部分反射的反射层、使光源发出的光射入层叠体的导光板等。另外，根据需要，可在层叠体内设置空隙。空隙例如可以是空气的层、氮气等非活性气体的层。作为扩散层，可以没有特别限制地使用以往在各种显示装置、光学装置中使用的各种扩散层。作为典型的例子，可举出在表面设置有棱镜等微细结构的膜；在表面散布或埋藏有珠的膜；及在内部包含微粒、以使光线散射的方式进行了结构化的界面或空隙等的膜。低折射率层没有特别限制，只要是具有比前述含硅树脂膜及前述二氧化硅膜更低的折射率的膜即可，可使用由各种材质形成的膜。作为反射层，可举出反射性的偏光膜、以能将入射光中的一部分反射的方式在表面设置有棱镜等微细结构的膜、金属箔、多层光学膜等。反射层优选反射入射光的30％以上，更优选反射入射光的40％以上，特别优选反射入射光的50％以上。反射层优选以将从含有量子点的膜透过的光反射、使反射光再次射入含有量子点的膜的方式设置。通过利用扩散层等将从反射层射入含有量子点的膜中的光再次向反射层的方向反射，从而与不使用反射层的情况相比，能提高从含有量子点的膜发出的绿色光、及红色光的色纯度。作为导光板，可以没有特别限制地使用以往在各种显示装置、光学装置中使用的各种导光板。作为包含含有量子点的膜和其他功能层的层叠体的优选的层结构的典型例，可举出以下的1～8的层结构。需要说明的是，在1～8的结构的层叠体中，使光源发出的光线射入最左侧记载的层，从最右侧记载的层将由含有量子点的膜进行了波长转换的光线提取出来。通常，以使从层叠体提取出的光线射入的方式设置显示面板displaypanel，利用色纯度高的红色光、绿色光、及蓝色光来进行图像的显示。1扩散层含有量子点的膜低折射率层反射层2导光板扩散层含有量子点的膜低折射率层反射层3低折射率层含有量子点的膜空隙反射层4导光板低折射率层含有量子点的膜空隙反射层5低折射率层含有量子点的膜低折射率层反射层6导光板低折射率层含有量子点的膜低折射率层反射层7反射层低折射率层含有量子点的膜低折射率层反射层8导光板反射层低折射率层含有量子点的膜低折射率层反射层需要说明的是，上文中说明的层叠体中，由固化性组合物的固化物形成的前述膜含有量子点的膜优选按照前述的方法制造。《发光显示元件面板及发光显示装置》由固化性组合物的固化物形成的前述膜、前述层叠体优选被组装至各种发光显示元件面板中，以从光源发出的光线提取出色纯度高的红色光、绿色光、及蓝色光的目的使用。此处，关于由固化性组合物的固化物形成的前述膜、前述层叠体的统称，记载为“量子点片材”。发光显示元件面板典型地组合包含作为光源的背光源、量子点片材、和显示面板。量子点片材具备导光板时，典型地，以使光线射入导光板的侧面的方式设置光源。从导光板的侧面入射的光线透过量子点片材内，射入显示面板。量子点片材不具备导光板时，使光线从面光源射入量子点片材的主面，使从量子点片材内透过的光线射入显示面板。显示面板的种类没有特别限制，只要能利用透过量子点片材的光线形成图像即可，典型地为液晶显示面板。从容易从由光源发出的光线提取出色纯度特别高的红色光、绿色光、及蓝色光方面考虑，量子点片材优选为前述层叠体。作为量子点片材为层叠体时的、发光显示元件面板所具备的结构的优选的组合，可举出以下a～h的组合。关于下述a～h所记载的组合，从最左侧记载的结构开始，按照记载的顺序堆叠起来，形成发光显示元件面板。a面光源扩散层量子点片材低折射率层反射层显示面板b带有光源的导光板扩散层量子点片材低折射率层反射层显示面板c面光源低折射率层量子点片材空隙反射层显示面板d带有光源的导光板低折射率层量子点片材空隙反射层显示面板e面光源低折射率层量子点片材低折射率层反射层显示面板f带有光源的导光板低折射率层量子点片材低折射率层反射层显示面板g面光源反射层低折射率层量子点片材低折射率层反射层显示面板h带有光源的导光板反射层低折射率层量子点片材低折射率层反射层显示面板通过使用上文中说明的发光显示元件面板，能够制造色相的再现范围广、能显示色相良好的鲜明图像的发光显示装置。实施例以下，利用实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。〔实施例1～19及比较例1〕实施例及比较例中，作为环氧化合物AA成分，使用以下的A-1～A-4。A-1：1，3，5-三缩水甘油基异氰脲酸酯1，3，5-triglycidylisocyanurateA-2：4，4’-双1，2-环氧环己烷4，4’-bis1，2-epoxycyclohexaneA-3：双酚A型环氧树脂A-4：乙二醇二缩水甘油基醚A-5：3’，4’-环氧环己烷甲酸3，4-环氧环己基甲酯实施例及比较例中，作为量子点BB成分，使用以下的B-1～B-4。关于B-1及B-2，使用将量子点以3质量％的浓度分散于丙二醇单甲基醚乙酸酯PGMEA中而成的分散液。关于B-3及B-4，使用将量子点以1质量％的浓度分散于PGMEA中而成的分散液。B-1：在由InP形成的核被由ZnS形成的壳层被覆而得的粒子上配位油胺oleylamine而成的量子点发光极大波长：530nmB-2：在由InP形成的核被由ZnS形成的壳层被覆而得的粒子上配位油胺而成的量子点发光极大波长：620nmB-3：由CdSe形成的核被由ZnS形成的壳层被覆而成的量子点发光极大波长：520nmB-4：由CdSe形成的核被由ZnS形成的壳层被覆而成的量子点发光极大波长：630nm实施例及比较例中，作为产酸剂CC成分，使用以下的C-1～C-3。实施例及比较例中，作为硅烷偶联剂，使用3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷KBM-403，Shin-EtsuSilicone公司制。将表1中记载的种类及量的环氧化合物A、及产酸剂C、与表1中记载的种类的量子点的分散液其中包含表1中记载的种类及量的量子点B均匀混合，得到各实施例及比较例的固化性组合物。使用得到的固化性组合物，按照以下的方法进行荧光效率的评价。将评价结果记载于表1。对于固化性组合物的制备中使用的量子点B的分散液，添加甲苯以使得波长450nm处的吸光度成为0.4，从而制作稀释分散液。对于得到的稀释分散液、和在下述条件下形成的固化膜，利用荧光量子产率测定装置C9920-02G；HamamatsuPhotonicsK.K.制，分别测定激发波长450nm处的量子产率。将稀释分散液的量子产率记为Q1，将固化膜的量子产率记为Q2。利用下述式算出量子产率：量子产率比％＝Q2Q1×100基于算出的量子产率比，按照以下的基准评价荧光效率。固化膜形成条件旋涂得到的组合物，在70℃条件下干燥2分钟，用宽带broadband光以100mJ的曝光量进行曝光固化。如上所述地操作，得到厚度为1μm的固化膜。荧光效率判定基准A：量子产率比为70％以上。B：量子产率比为50％以上且低于70％。C：量子产率比为0.1％以上且低于50％。D：量子产率比低于0.1％。[表1]根据表1可知，对于包含量子点B的固化性组合物而言，使用产酸剂C使具有2个以上环氧基且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构的环氧化合物A固化时，能形成荧光效率优异的固化膜。另一方面，在比较例1中，使用了不包含环式结构的乙二醇二缩水甘油基醚作为环氧化合物A，因此，未能形成荧光效率优异的固化膜。

权利要求：1.固化性组合物，其含有环氧化合物A、量子点B、和产酸剂C，所述环氧化合物A具有2个以上环氧基，并且包含氧杂环丙烷环以外的环式结构。2.如权利要求1所述的固化性组合物，其中，所述环氧化合物A包含下述式a1所示的化合物，式a1中，Ra1、Ra2、及Ra3各自独立地为氢原子、或可以包含环氧基的有机基团，Ra1、Ra2、及Ra3所具有的环氧基的总数为2以上。3.如权利要求1所述的固化性组合物，其中，所述环氧化合物A为具有包含氧杂环丙烷环的脂环式骨架的脂环式环氧化合物。4.如权利要求1～3中任一项所述的固化性组合物，其中，所述产酸剂C包含锍盐。5.如权利要求4所述的固化性组合物，其中，作为所述锍盐，包含下述式c1所示的锍盐，式c1中，Rc1及Rc2独立地表示可以被卤素原子取代的烷基或下述式c2所示的基团，Rc1和Rc2可以相互键合并与式中的硫原子一同形成环，Rc3表示下述式c3所示的基团或下述式c4所示的基团，Ac1表示S、O、或Se，X-表示1价阴离子，其中，Rc1及Rc2不会同时为可以被卤素原子取代的烷基，式c2中，环Zc1表示芳香族烃环，Rc4表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氧基、烷基硫基、噻吩基、噻吩基羰基、呋喃基、呋喃基羰基、硒吩基、硒吩基羰基、杂环式脂肪族基团、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m1表示0以上的整数，式c3中，Rc5表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的亚烷基或者下述式c5所示的基团，Rc6表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的烷基或者下述式c6所示的基团，Ac2表示单键、S、O、亚磺酰基、或羰基，n1表示0或1，式c4中，Rc7及Rc8独立地表示可以被羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基或卤素原子取代的亚烷基或者下述式c5所示的基团，Rc9及Rc10独立地表示可以被卤素原子取代的烷基或所述式c2所示的基团，Rc9和Rc10可以相互键合并与式中的硫原子一同形成环，Ac3表示单键、S、O、亚磺酰基、或羰基，X-如上所述，n2表示0或1，其中，Rc9及Rc10不会同时为可以被卤素原子取代的烷基，式c5中，环Zc2表示芳香族烃环，Rc11表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m2表示0以上的整数，式c6中，环Zc3表示芳香族烃环，Rc12表示可以被卤素原子取代的烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、芳基硫基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、噻吩基羰基、呋喃基羰基、硒吩基羰基、芳基、杂环基、芳基氧基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、羟基聚亚烷基氧基、可经取代的氨基、氰基、硝基、或卤素原子，m3表示0以上的整数。6.如权利要求5所述的固化性组合物，其中，所述X-所示的所述1价阴离子为下述式所示的含有硼的阴离子，Rx1cBY4-c-式中，Rx1表示氢原子的至少一部分被卤素原子或吸电子基团取代的苯基，Y表示卤素原子，c表示1～4的整数。7.如权利要求1～3中任一项所述的固化性组合物，其中，所述量子点B含有包含Cd或In的化合物。8.膜，其是由权利要求1～7中任一项所述的固化性组合物的固化物形成的。9.发光显示元件用光学膜，其是由权利要求8所述的膜形成的。10.发光显示元件面板，其包含权利要求9所述的发光显示元件用光学膜。11.发光显示装置，其具备权利要求10所述的发光显示元件面板。

百度查询： 东京应化工业株式会社 固化性组合物、膜、光学膜、发光显示元件面板及发光显示装置

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