申请/专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司

申请日：2021-10-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114036086B

主分类号：G06F13/16

分类号：G06F13/16;G06F13/42;G06F15/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要：本申请提供一种基于三维异质集成的串行接口存储芯片。该基于三维异质集成的串行接口存储芯片包括串行接口逻辑组件和存储组件。其中，串行接口逻辑组件包括第一键合区域；存储组件包括第二键合区域；所述串行接口逻辑组件与所述存储组件通过所述第一键合区域和所述第二键合区域三维异质集成键合连接。该基于三维异质集成的串行接口存储芯片信号传输可靠、带宽高、延迟低、功耗小；且制造工艺简单，良率较高，成本较低，散热较快。

主权项：1.一种基于三维异质集成的串行接口存储芯片，其特征在于，包括：串行接口逻辑组件，包括第一键合区域；存储组件，包括第二键合区域；所述串行接口逻辑组件与所述存储组件通过所述第一键合区域和所述第二键合区域三维异质集成键合连接；其中，所述串行接口逻辑组件包括：串行接口模块，用于传送数据；数据协议模块，与所述串行接口模块连接，用于对所述数据进行处理；存储控制模块，与所述数据协议模块连接；所述串行接口模块、所述数据协议模块以及所述存储控制模块与所述第一键合区域连接，所述存储控制模块通过所述第一键合区域和所述第二键合区域访问所述存储组件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安紫光国芯半导体有限公司 基于三维异质集成的串行接口存储芯片

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