申请/专利权人：共达电声股份有限公司

申请日：2019-05-31

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113678472B

主分类号：H04R19/04

分类号：H04R19/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：一种MEMS电容传感器及其制备方法，该传感器包括第一电极结构200，该第一电极结构200包括位于中间区域的第一导电区域230a以及所述第一导电区域周围的绝缘区域240，第一导电区域230a和绝缘区域240为一整体结构，且其中至少一个通过掺杂方式形成。上述MEMS电容式传感器，通过在第一电极结构中设置在中间区域的第一导电区域导电，第一导电区域周围的绝缘区域绝缘，降低了MEMS电容式传感器的寄生电容，并且无需设置多层绝缘薄膜，避免了残余应力控制复杂、多层薄膜剥离和弯曲的问题。

主权项：1.一种MEMS电容传感器，其特征在于，包括：第一电极结构，包括位于中间区域的第一导电区域以及所述第一导电区域周围的绝缘区域，所述第一导电区域和所述绝缘区域为一整体结构，且其中至少一个通过掺杂方式形成；所述第一电极结构还包括第二导电区域，所述绝缘区域位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；支撑结构，包括：基板，以及形成于所述基板上的牺牲层；所述第一电极结构部分位于所述牺牲层上；所述基板和所述牺牲层上开设有用于裸露所述第一导电区域的背洞；所述牺牲层上开设有通孔以使所述第一电极结构和所述基板在所述通孔内直接接触，所述基板的电极性与第一导电类型掺杂元素的电极性相同或相反；所述第一电极结构与所述基板的接触面还设有第三绝缘区域，所述第三绝缘区域具有第二预设宽度，所述第三绝缘区域包括具有相反电极性的第一导电类型掺杂元素和第二导电类型掺杂元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 共达电声股份有限公司 MEMS电容传感器及其制备方法、电子设备

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