申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-06-30

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917927A

主分类号：H10B43/50

分类号：H10B43/50;H10B43/27;H10B43/35;H10B41/50;H10B41/35;H10B41/27;H10B80/00

优先权：["20221020 KR 10-2022-0135329"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：提供了三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括外围结构和位于外围结构上的单元结构。单元结构可以包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；堆叠体，包括堆叠在基底的第一表面上的栅电极；绝缘层，位于基底的第二表面上；穿透接触插塞，穿透基底的第一表面；第一间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且与穿透接触插塞间隔开；第二间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且连接到穿透接触插塞；第一间隙填充间隔件，位于第一间隙填充导电图案与基底之间；以及第二间隙填充间隔件，位于第二间隙填充导电图案与基底之间。

主权项：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：外围电路结构，位于第一基底上；以及单元阵列结构，位于外围电路结构上，其中，单元阵列结构包括：第二基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；堆叠体，包括在第一方向上堆叠在第二基底的第一表面上的栅电极；绝缘层，位于第二基底的第二表面上；穿透接触插塞，延伸穿过第二基底的第一表面；第一间隙填充导电图案，延伸穿过第二基底的第二表面和绝缘层，并且与穿透接触插塞间隔开；第二间隙填充导电图案，延伸穿过第二基底的第二表面和绝缘层，并且连接到穿透接触插塞；第一间隙填充间隔件，位于第一间隙填充导电图案与第二基底之间；以及第二间隙填充间隔件，位于第二间隙填充导电图案与第二基底之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 三维半导体存储器装置和包括其的电子系统

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