申请/专利权人：浙江禾芯集成电路有限公司

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829958U

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L23/535;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种晶圆级芯片的扇出型封装结构，属于半导体封装技术领域。其硅基本体101的芯片电极102上设置多层塔状的金属阶梯微凸台，所述硅基本体101的外围设置若干个金属阶梯柱I和金属阶梯柱II，所述塑封层301下设置支撑片130，所述硅基本体101通过背金层111与支撑片130固连，所述金属阶梯柱分别与支撑片130固连。本实用新型采用具有下大上小结构的金属阶梯微凸台、金属阶梯柱I和金属阶梯柱II，扩大了介电材料与包覆材料即塑封层的结合面积，形成互锁结构，提升了产品的可靠性的。

主权项：1.一种晶圆级芯片的扇出型封装结构,其包括硅基本体101，所述硅基本体101的上表面内预先设置复数个芯片电极102，其特征在于，其还包括金属阶梯微凸台，所述金属阶梯微凸台设置在芯片电极102上，其从下往上依次包括金属微凸台底部2031和金属微凸台中部2032，所述金属微凸台底部2031扁平且向外膨胀，其侧壁的纵截面呈弧形；所述金属微凸台中部2032向上隆起，其纵截面呈梯形，上端面形成金属微凸台中部研磨面20321，所述金属微凸台底部2031的横截面的直径尺寸＞金属微凸台中部2032的横截面的直径尺寸；所述硅基本体101的背面设置背金层111，在所述硅基本体101的外围设置若干个金属阶梯柱，所述金属阶梯柱从下往上依次包括金属阶梯柱底部701、金属阶梯柱中部702和金属阶梯柱顶部703，其横截面呈均呈圆形，且其直径依次递减，所述金属阶梯柱底部701的侧壁的纵截面呈弧形；所述金属阶梯柱中部702向上隆起，其纵截面呈上肩圆形的梯形；所述金属阶梯柱顶部703呈圆柱状，其顶端为金属阶梯柱研磨面7031；塑封料包封金属阶梯微凸台、硅基本体101、金属阶梯柱和背金层111形成塑封层301，所述塑封层301的上表面露出金属微凸台中部研磨面20321和金属阶梯柱研磨面7031，所述塑封层301的下表面露出背金层111的下表面和金属阶梯柱底部701的下表面；所述塑封层301上设置再布线金属层，所述再布线金属层包括复数个多层的金属图形层单体和填充其间的介电层，多层的金属图形层单体内部的金属图形层上下电信连接，所述再布线金属层向下通过金属微凸台中部研磨面20321与金属阶梯微凸台实现电信连接，通过金属阶梯柱研磨面7031与金属阶梯柱实现电信连接，其向上设置半嵌入介电层的金属凸块404，且与金属凸块404电信连接，再在金属凸块404上形成焊料连接件；所述塑封层301下设置支撑片130，所述硅基本体101通过背金层111与支撑片130固连，所述金属阶梯柱分别与支撑片130固连。

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