申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-09

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894744A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/50;H01L23/528

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请提供晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括主体区、修边区和洗边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述洗边区的部分第一介质层被去除形成第一缺口，所述第一缺口被与所述第一介质层表面平齐的第一填充层填满；第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层，所述第二介质层边缘处的一部分被去除形成第二缺口，所述第二缺口被与所述第二介质层表面平齐的第二填充层填满；所述第一晶圆和第二晶圆通过所述第一金属连接结构和第二金属连接结构对准并键合，所述第一晶圆和第二晶圆的键合界面没有缺口。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，可以提高晶圆上的完整芯片数量，提高产品利润率。

主权项：1.一种晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括主体区、修边区和洗边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述主体区的第一介质层中形成有第一金属连接结构，其中，所述修边区的部分第一介质层以及第一晶圆被去除，所述洗边区的部分第一介质层被去除形成第一缺口；在所述第一缺口中形成填满所述第一缺口且与所述第一介质层表面平齐的第一填充层；提供第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层，所述第二介质层中形成有第二金属连接结构，其中，所述第二介质层边缘处的一部分被去除形成第二缺口；在所述第二缺口中形成填满所述第二缺口且与所述第二介质层表面平齐的第二填充层；通过所述第一金属连接结构和第二金属连接结构对准并键合所述第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆的键合界面没有缺口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆键合结构及其形成方法

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