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【发明公布】一种高稳定性低功耗Mo-Te-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用_江苏理工学院_202410028011.4 

申请/专利权人:江苏理工学院

申请日:2024-01-09

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117897041A

主分类号:H10N70/00

分类号:H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本申请实施例涉及一种高稳定性低功耗Mo‑Te‑Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用,属于微电子相变材料技术领域。本申请实施例的高稳定性低功耗Mo‑Te‑Sb纳米相变薄膜,所述纳米相变薄膜的化学通式为MoTe2xSby,其中,x表示MoTe2的原子个数,且0<x<1;y表示Sb的原子个数,且0<y<1。本申请实施例所提供的纳米相变薄膜,基于Sb金属靶材上放置不同MoTe2金属靶材的数量配比,MoTe2组分比例的增加阻碍了载流子的定向移动,加大了晶化的障碍,使得薄膜拥有更好的热稳定性和更小的电阻漂移指数。

主权项:1.一种高稳定性低功耗Mo-Te-Sb纳米相变薄膜,其特征在于,所述纳米相变薄膜的化学通式为MoTe2xSby,其中,x表示MoTe2的原子个数,且0<x<1;y表示Sb的原子个数,且0<y<1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏理工学院 一种高稳定性低功耗Mo-Te-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用

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