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【发明授权】一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器_南京邮电大学_202211095801.1 

申请/专利权人:南京邮电大学

申请日:2022-09-08

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN115395191B

主分类号:H01P1/208

分类号:H01P1/208

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要:本发明公开了一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且设置的耦合孔组,不仅不会影响主模的耦合,同时还可以抑制高次模的耦合,从而达到延伸滤波器阻带的效果。

主权项:1.一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器,其特征在于,包括堆叠的顶层金属基片和底层金属基片,顶层金属基片和底层金属基片之间堆叠有多个中间金属基片,相邻金属基片之间堆叠有介质基片;介质基片上贯穿有金属化通孔阵列,介质基片上贯穿的金属化通孔阵列、上层的金属基片和下层的金属基片共同构成谐振腔;相邻两谐振腔之间的金属基片上开有连接相邻两谐振腔的耦合孔组,耦合孔组包括一个缝隙孔和一个矩形孔,缝隙孔位于主模和高次模的磁场最强处,矩形孔位于高次模的电场最强处;矩形孔提供预设高次模的电耦合,调节矩形孔的宽度,控制预设高次模的电耦合量;缝隙孔提供预设高次模的磁耦合,调节缝隙孔的长度,控制预设高次模的磁耦合量;矩形孔和缝隙孔均提供主模的磁耦合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京邮电大学 一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器

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