申请/专利权人：成都核心智慧科技有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117895200A

主分类号：H01P1/202

分类号：H01P1/202

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供了一种基于提取极点谐振器的5G基片集成同轴滤波器，属于通信技术领域，包括从上到下设置的四层介质基板、从上到下设置的八层金属层以及四个谐振器。本发明提供基片集成同轴滤波器使用多层结构，使谐振器之间的耦合有垂直耦合和水平耦合两种形式，使设计保持着紧凑的尺寸。且本发明结合提取极点谐振器，并利用电磁混合耦合构建谐振器之间的耦合，在滤波器通带左侧实现了三个零点，实现了良好的抑制额能。

主权项：1.一种基于提取极点谐振器的5G基片集成同轴滤波器，其特征在于，包括第一介质基板（1）、第二介质基板（2）、第三介质基板（3）、第四介质基板（4）、第一金属层（5）、第二金属层（6）、第三金属层（7）、第四金属层（8）、第五金属层（9）、第六金属层（10）、第七金属层（11）、第八金属层（12）、第一提取极点谐振器（13）、第二提取极点谐振器（14）、第一四分之一波长阶跃阻抗谐振器（15）以及第二四分之一波长阶跃阻抗谐振器（16）；所述第一介质基板（1）、第二介质基板（2）、第三介质基板（3）、第四介质基板（4）从上到下依次设置，所述第一金属层（5）、第二金属层（6）、第三金属层（7）、第四金属层（8）、第五金属层（9）、第六金属层（10）、第七金属层（11）、第八金属层（12）从上到下依次设置，所述第一介质基板（1）位于第一金属层（5）和第二金属层（6）之间，所述第二介质基板（2）位于第三金属层（7）和第四金属层（8）之间，所述第三介质基板（3）位于第五金属层（9）和第六金属层（10）之间，所述第四介质基板（4）位于第七金属层（11）和第八金属层（12）之间；所述第一提取极点谐振器（13）和第二提取极点谐振器（14）位于所述第三金属层（7）上，所述第一四分之一波长阶跃阻抗谐振器（15）和第二四分之一波长阶跃阻抗谐振器（16）均位于第六金属层（10）上，设置于第三金属层（7）上的信号输入馈线（19）与第一提取极点谐振器（13）的中心连接，设置于第三金属层（7）上的信号输出馈线（20）与第二提取极点谐振器（14）的中心连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都核心智慧科技有限公司 基于提取极点谐振器的5G基片集成同轴滤波器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD