申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-03-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114899248B

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/115;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明涉及一种中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法，以解决存在探测死区以及金属反射导致电荷收集率低等技术问题。一种中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器包括：衬底，以及设置在所述衬底中央的中央电极，设置在所述衬底外周的沟槽电极，所述沟槽电极呈环形；所述中央电极贯穿所述衬底。

主权项：1.一种中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的外周刻蚀环形沟槽；在所述环形沟槽内形成环形的沟槽电极；分别在所述衬底的上表面和下表面覆盖氧化膜；在所述衬底的中央刻蚀贯穿所述衬底至所述氧化膜的深沟槽，并在深沟槽内形成中央电极；其中，所述环形沟槽的开口设置在所述衬底的上表面，所述深沟槽的开口设置在所述衬底的下表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法

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