申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2022-09-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115425101B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/11;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管，该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区，利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区，高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率，提高器件整体的光子探测效率，实现单光子的宽光谱响应，为实现低成本、高探测效率的激光测距、三维成像等提供可行的方案。本发明还公开一种双结单光子雪崩二极管探测器及制作方法。

主权项：1.一种双结单光子雪崩二极管，其特征在于，包括深雪崩区和浅雪崩区，所述深雪崩区包括p型衬底（10），所述p型衬底（10）内设有p型埋层（8），所述p型埋层（8）上方设有重掺杂n型埋层（4），所述重掺杂n型埋层（4）上方设有高压p阱（7）和轻掺杂p阱（6），所述轻掺杂p阱（6）表面注入P+区（5），作为二极管的阳极，所述高压p阱（7）外围设有高压n阱（3），所述高压n阱（3）的表面注入重掺杂N+区（1），作为二极管的阴极；所述N+区（1）和P+区（5）之间设有浅沟槽隔离（11），所述高压p阱（7）和重掺杂n型埋层（4）的交界处形成深雪崩区；所述浅雪崩区包括在所述轻掺杂p阱（6）中设有n阱（2），所述n阱（2）的表面设有N+区（1），作为二极管的阴极，所述高压n阱（3）表面注入N+区（1），与n阱（2）的表面设有N+区（1）形成的阴极接同一电位，所述轻掺杂p阱（6）表面注入P+区（5），作为二极管的阳极，在n阱（2）和高压p阱（7）的交界处形成浅雪崩区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法

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