申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894812A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L31/107

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管的结构，包括：依次在衬底上叠设的N型掺杂InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP组分渐变层、N型掺杂InP电荷层以及InP层；像素阵列，设置在InP层，包括有多个像素；P高掺结构，设置在InP层中的多个像素之间的区域，P高掺结构从InP层表面向衬底方向扩散至第一深度，用以抑制像素间的串扰。InP微透镜阵列，设置在衬底远离N型掺杂InP缓冲层的一端表面，InP微透镜阵列包括多个InP微透镜，InP微透镜的焦点设置在InGaAs吸收层，用于将光子聚焦至有源区中的InGaAs吸收层。

主权项：1.一种单光子雪崩二极管的结构，其特征在于，包括：衬底1；依次在所述衬底1上叠设的N型掺杂InP缓冲层2、InGaAs吸收层3、InGaAsP组分渐变层4、N型掺杂InP电荷层5以及InP层6；像素阵列，设置在所述InP层6远离所述N型掺杂InP电荷层5的一端，所述像素阵列包括有多个像素并且各个所述像素的中心之间具有相同距离；P高掺结构7，设置在所述InP层6中的所述多个像素之间的空隙，所述P高掺结构7从所述InP层6表面向所述衬底1方向扩散至第一深度；InP微透镜阵列12，设置在所述衬底1远离所述N型掺杂InP缓冲层2的一端表面，所述InP微透镜阵列12包括多个InP微透镜，所述多个InP微透镜的焦点设置在所述像素有源区的InGaAs吸收层3，用于将光子聚焦至所述InGaAs吸收层3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 单光子雪崩二极管的结构和制备方法

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