申请/专利权人：季华实验室

申请日：2022-11-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115528128B

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107;H01L31/0232;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.01.13#实质审查的生效;2022.12.27#公开

摘要：本公开涉及一种单光子雪崩二极管及其制备方法，该单光子雪崩二极管包括：衬底层、器件层以及非周期性光栅；器件层内嵌于衬底层内，非周期性光栅设置于器件层未被衬底层包覆的表面；非周期性光栅用于使入射的光线发生衍射和共振耦合；器件层用于将入射光信号进行光电响应生成电信号。由此，通过设置衬底层、器件层以及非周期性光栅，形成具有非周期性光栅的单光子雪崩二极管，基于非周期性光栅对入射的光线的衍射和共振耦合作用，将光耦合到器件层提升了光子吸收效率，增强了光吸收效果，利于单光子雪崩二极管实现高灵敏度的光电探测。

主权项：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：衬底层、器件层以及非周期性金属光栅；所述器件层内嵌于所述衬底层内，所述非周期性金属光栅设置于所述器件层未被所述衬底层包覆的表面；所述非周期性金属光栅用于使入射的光线发生衍射和共振耦合；所述器件层用于基于入射光信号进行光电响应生成电信号；所述非周期性金属光栅为背入射结构，还用于反射入射的光线至所述器件层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 季华实验室 一种单光子雪崩二极管及其制备方法

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