申请/专利权人：季华实验室

申请日：2021-11-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114093962B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/107;H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：本公开涉及单光子雪崩二极管和光电探测器阵列。该单光子雪崩二极管包括：第一类型衬底；第二类型外延层，设置于第一类型衬底的一侧；在第二类型外延层的背离第一类型衬底的一侧形成凹坑，在凹坑内、沿第一类型衬底指向第二类型外延层的方向依次设置的第一类型轻掺杂层、第一类型掺杂层和第一类型重掺杂层；第二类型重掺杂埋层，设置在凹坑底部中心位置处，且位于第一类型轻掺杂层与第二类型外延层的交界凹陷内；其中，位于第二类型重掺杂层环周的第一类型轻掺杂层形成保护环；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。由此，通过设置保护环围绕掺杂层的环周设置，能够降低击穿概率，提升填充因子，以提高探测效率。

主权项：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：第一类型衬底；第二类型外延层，设置于所述第一类型衬底的一侧；在所述第二类型外延层的背离所述第一类型衬底的一侧形成凹坑，在所述凹坑内、沿所述第一类型衬底指向所述第二类型外延层的方向依次设置的第一类型轻掺杂层、第一类型掺杂层和第一类型重掺杂层；且，在所述第二类型外延层背离所述第一类型衬底的表面，所述第一类型掺杂层环绕所述第一类型重掺杂层，所述第一类型轻掺杂层环绕所述第一类型掺杂层；第二类型重掺杂埋层，设置在所述凹坑底部中心位置处，且位于所述第一类型轻掺杂层与所述第二类型外延层的交界凹陷内；其中，位于所述第二类型重掺杂埋层环周的所述第一类型轻掺杂层形成保护环；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 季华实验室 单光子雪崩二极管和光电探测器阵列

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