申请/专利权人：AGC株式会社

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117940385A

主分类号：C03C3/087

分类号：C03C3/087;C03B5/235;C03B25/00;C03C3/062;C03C3/064;C03C3/066;C03C3/068;C03C3/076;C03C3/078;C03C3/083;C03C3/085;C03C3/089;C03C3/091;C03C3/093;C03C3/095;C03C3/097;C03C3/112;H01L21/3065

优先权：["20210914 JP 2021-149104","20211012 JP 2021-167594","20211126 JP 2021-192308"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供耐等离子体性和透明性优异的玻璃块。本发明的玻璃块含有Mg和Ca中的至少任一者与Si，以摩尔％计，B2O3为49.0％以下，P2O5为11.5％以下，a＝SiO2+B2O3+P2O5+GeO2为10.0～59.5％，a+Al2O3为66.5％以下，Ga2O3为7.0％以下，b＝Al2O3+Ga2O3+In2O3a为0.44以下，R2O为20.0％以上R2：碱土金属，MgO为50.0％以下，MgO≥BaO，CaO≥BaO，SrO≥BaO，MgO≥SrO，CaO≥SrO，R12O为1.2％以下R1：碱金属，TiO2或者ZrO2为4.8％以下，MnO2为9.5％以下，ZnO为11.8％以下，Ta2O5SiO2为0.067以下，杂质元素为15.0％以下，FO为0.20以下。

主权项：1.一种玻璃块，含有镁和钙中的至少任一者与硅，将碱金属元素设为R1，将碱土金属元素设为R2时，以氧化物基准的摩尔百分比表示，B2O3的含量为49.0摩尔％以下，P2O5的含量为11.5摩尔％以下，SiO2、B2O3、P2O5和GeO2的含量的合计为10.0摩尔％～59.5摩尔％，SiO2、B2O3、P2O5、GeO2和Al2O3的含量的合计为66.5摩尔％以下，Ga2O3的含量为7.0摩尔％以下，Al2O3、Ga2O3和In2O3的含量的合计b与SiO2、B2O3、P2O5和GeO2的含量的合计a之比ba为0.44以下，R2O的含量为20.0摩尔％以上，MgO的含量为50.0摩尔％以下，MgO的含量为BaO的含量以上，CaO的含量为BaO的含量以上，且SrO的含量为BaO的含量以上，MgO的含量为SrO的含量以上，且CaO的含量为SrO的含量以上，R12O的含量为1.2摩尔％以下，TiO2或者ZrO2的含量为4.8摩尔％以下，MnO2的含量为9.5摩尔％以下，ZnO的含量为11.8摩尔％以下，Ta2O5的含量与SiO2的含量之比Ta2O5SiO2为0.067以下，杂质元素的按氧化物换算的含量为15.0摩尔％以下，其中，所述杂质元素为除硅、硼、磷、锗、铝、镓、铟、碱土金属元素、钇、碱金属元素、钛、锆、锰、锌和钽以外的金属元素，氟的含量F与氧的含量O之比FO为0.20以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： AGC株式会社 玻璃块及其制造方法和半导体制造装置用部件

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